[發明專利]二氧化鈦多孔薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201010206483.2
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN101886249A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 吳韜;方燕翎;王琦;丁靚
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1)超聲波條件下用有機溶劑和去離子水清洗基材，干燥；

2)磁控濺射反應室真空度抽到至少10^-3Pa，加熱基材，使基材溫度為20～250℃，通入反應氣體，以金屬鋅為靶材，惰性氣體為工作氣，在0.5～2.0Pa壓強下，濺射生長氧化鋅薄膜；然后以金屬鈦為靶材，在氧化鋅薄膜上濺射生長氧化鈦薄膜，得到鋅氧化物和鈦氧化物復合膜層；

3)將鋅氧化物和鈦氧化物復合膜層在0.001～1mol/L酸液中浸泡0.5～30分鐘取出，干燥，得到二氧化鈦多孔膜。

2.二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1)超聲波條件下用有機溶劑和去離子水清洗基材，干燥；

2)磁控濺射反應室真空度抽到至少10^-3Pa，加熱基材，使基材溫度為20～250℃，通入反應氣體，以金屬鋅和金屬鈦為靶材，惰性氣體為工作氣，在0.5～2.0Pa壓強下，在基材上濺射生長鋅氧化物和鈦氧化物，鋅氧化物和鈦氧化物互相摻雜，得到鋅氧化物和鈦氧化物復合膜層；

3)將鋅氧化物和鈦氧化物復合膜層在0.001～1mol/L酸液中浸泡0.5～30分鐘取出，干燥，得到二氧化鈦多孔膜。

3.二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，包括以下步驟：

1)超聲波條件下用有機溶劑和去離子水清洗基材，干燥；

2)磁控濺射反應室真空度抽到至少10^-3Pa，加熱基材，使基材溫度為20～250℃，通入反應氣體，以金屬鋅和金屬鈦為靶材，惰性氣體為工作氣，在0.5～2.0Pa壓強下，在基材上濺射生長鋅氧化物和鈦氧化物，鋅氧化物和鈦氧化物互相摻雜，得到鋅氧化物和鈦氧化物復合膜層；然后以金屬鈦為靶材，在鋅氧化物和鈦氧化物復合膜層上濺射生長氧化鈦薄膜；

3)將步驟2)制得的復合膜層在0.001～1mol/L酸液中浸泡0.5～30分鐘取出，干燥，得到二氧化鈦多孔膜。

4.根據權利要求1或2或3所述的二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，其特征在于：步驟1)中所說的有機溶劑為丙酮、氯仿和乙醇中的至少一種。

5.根據權利要求1或2或3所述的二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，其特征在于所說的基材是FTO導電玻璃、ITO導電玻璃、陶瓷，聚乙烯、聚苯乙烯或無紡布。

6.根據權利要求1或2或3所述的二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，其特征在于所說的反應氣體是純氧或空氣。

7.根據權利要求1或2或3所述的二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，其特征在于所說的惰性氣體為氬氣、氮氣或氬氣和氮氣的混合氣體。

8.根據權利要求1或2或3所述的二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，其特征在于所說的酸液為鹽酸、硫酸、醋酸或硝酸。

9.根據權利要求1或2或3所述的二氧化鈦多孔薄膜的制備方法，其特征在于將制得的二氧化鈦多孔薄膜在80～600℃條件下退火處理1小時以下。