[發明專利]具有自動時序調整功能的集成電路及時序調整方法有效

申請號：	201010206261.0	申請日：	2010-06-13
公開（公告）號：	CN101930785A	公開（公告）日：	2010-12-29
發明（設計）人：	胡志廷;陳耕暉;洪俊雄	申請（專利權）人：	旺宏電子股份有限公司
主分類號：	G11C7/04	分類號：	G11C7/04
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司 11021	代理人：	周國城
地址：	中國臺灣新竹***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有自動時序調整功能集成電路方法
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【說明書】：

技術領域

本發明是有關于半導體，且特別是有關于一種在半導體裝置的具有自動時序調整功能的集成電路及時序調整方法。

背景技術

集成電路存儲器技術持續朝向越來越小的體積發展。盡管金屬氧化物半導體(metal-oxide-semiconductor，MOS，例如PMOS、NMOS、CMOS)存儲器內的通道長度(channel-length)與柵氧化層寬度(gate-oxidethickness)的減少可用以改善有關如讀/寫速度的存儲器性能，但這類的設計改變常常會導致制造程序變化的靈敏度增加，且導致在外部電源電壓與溫度中的變化更為靈敏。

集成電路存儲器中的數據必須在相對短的時間內讀出。在例如手機與數字多功能光盤(digital?versatile?disk，DVD)播放器的應用上，讀取速度是關鍵的。為了使得在這些上下文中的使用可以被接受，現有技術存在一需求，以在預定范圍內可靠地控制集成電路存儲器的讀取速度時序。進一步來說，甚至在外電壓變化、溫度變化與工藝變化的存在下，仍存在用以保持在預定范圍內的讀取速度的需求，而任何一個上述變化均可能被引入到大量半導體裝置生產的環境中。

發明內容

本發明通過提供集成電路的制造的自動內部調整校正方法來滿足這些需求，以補償制造程序中的變化。調整集成電路中的時序的方法的實施包括施加一參考信號至集成電路，并比較參考信號與集成電路所產生的內部信號。上述實施更包括根據一比較結果，執行自動調整來調整內部信號。根據上述方法的實施，上述調整包括調整集成電路的至少一內部參數。在上述方法的另一實施中，內部信號的調整包括為了改變控制頻率信號的頻率的電阻值，燒斷內部熔絲(blowing?internal?fuse)，從而改變電阻結構。在上述方法的又一實施中，內部信號的調整包括為了改變控制內部電源電壓的電阻值，燒斷內部熔絲，從而改變電阻結構。上述方法的另一實施在參考信號施加后執行自動調整，并且根據自動調整結果來儲存集成電路結構。根據比較結果，集成電路可以是合格(passed)或是故障(failed)。

雖然為了文法條理順暢(grammatical?fluidity)的緣故，裝置與方法已經或是將被以功能性說明(functional?explanation)描述，但是應可明確了解，除非在美國專利法35?U.S.C?112下明確組成的權利要求范圍不會被“手段(means)”或“步驟(steps)”限制的句法結構解釋為必然限制于任一方式(way)中，而是在等價物的司法原理(judicial?doctrine)下符合通過權利要求范圍所提供的定義的意義(meaning)與同值物(equivalent)的全部范圍，并且于35?U.S.C?112下明確組成的權利要求范圍的例子中在35U.S.C?112下符合所有法定的等價物。

于此描述的任一特征或是多個特征的結合均包含在本發明的范圍中，而且從上下文、說明書所描述以及熟悉該項技術者的知識可明顯獲知上述特征的結合并不互相矛盾。另外，任一特征或是多個特征的組合可以明確地從本發明的任一實施例排除。描述本發明的明確地觀點、優點新的優點以概述本發明的目的。當然，應該了解并不需要將所有上述的概念、優點或特征在本發明任一特定實施例中實施。本發明的額外的優點及觀點在下列詳細描述及下列申請范圍中是顯而易見的。

附圖說明

圖1繪示自動內部調整校正方法的實施的流程圖。

圖2繪示參考信號與集成電路的內部信號的時序圖。

圖3A繪示自動調整可以出現在集成電路中的各種情況的表。

圖3B是圖3A的表的圖解說明。

圖4是自動校正集成電路的裝置的方塊圖。

【主要元件符號說明】

100～175：步驟

200：WE信號

205：SARD信號

210、220、230、240：WE信號的脈沖

251：脈沖220的上升緣