[發明專利]自帶短路保護功能的垂直發光二極管

無效

• 申請號: 201010205490.0
• 申請日: 2010-06-10
• 公開（公告）號: CN101872830A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 林雪嬌;黃慧君
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/02
• 代理公司: 廈門原創專利事務所 35101
• 代理人: 徐東峰

1.自帶短路保護功能的垂直發光二極管，

一第一電極；

一散熱基板，形成于第一電極上；

一第二電極，形成于散熱基板上；

一焊接金屬，形成于第二電極上；

一第三電極，形成于焊接金屬上；

一半導體發光疊層形成于第三電極上的中央區域，此半導體發光疊層提供發光作用；

一半導體發光疊層護欄形成于第三電極上并位于第三電極外圍區域，半導體發光疊層護欄間隔環繞于半導體發光疊層的四周；此半導體發光疊層護欄具有與半導體發光疊層完全相同的結構，間隔的半導體發光疊層護欄與半導體發光疊層之間的為一隔離槽；隔離槽底部為第三電極，半導體發光疊層護欄對半導體發光疊層起短路保護作用；

一第四電極，形成于半導體發光疊層上。

2.如權利要求1所述的自帶短路保護功能的垂直發光二極管，其特征在于：散熱基板的制備材料選自GaAs、Ge、Si、Mo、Cu或WCu。

3.如權利要求1所述的自帶短路保護功能的垂直發光二極管，其特征在于：所述的半導體發光疊層護欄與半導體發光疊層之間的隔離槽通過蝕刻方式形成。

4.如權利要求1所述的自帶短路保護功能的垂直發光二極管，其特征在于：半導體發光疊層依次由第一導電性的半導體層、活性層、第二導電性的半導體層疊層連接構成。

5.如權利要求1、3或4所述的自帶短路保護功能的垂直發光二極管，其特征在于：半導體發光疊層護欄中，第一導電性半導體層材料包括GaN，活性層材料包括InGaN，第二導電性半導體層材料包括GaN；在活性層與第二導電性半導體層之間還形成一第二導電性限制層，第二導電性限制層材料包括InGaN或AlGaN。