[發明專利]顯示裝置及制造該顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 201010205314.7
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN102034745A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 崔永柱;李禹根;柳慧英;金己園
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/768;C23F1/18;C23F1/02;G02F1/1362
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：

在底基板上形成柵極圖案，所述柵極圖案包括柵極線和柵電極；

通過圖案化數據金屬層和氧化物半導體層兩者來形成半導體圖案和源極圖案，其中，所述數據金屬層和所述氧化物半導體層形成在具有所述柵極圖案的所述底基板上，所述數據金屬層包括第一銅合金層，并且所述氧化物半導體層包括氧化物半導體，其中，所述源極圖案包括數據線、源電極和漏電極；以及

在具有所述源極圖案的所述底基板上形成電連接至所述漏電極的像素電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，對數據金屬層和氧化物半導體層兩者進行的圖案化包括使用蝕刻劑組合物，并且所述蝕刻劑組合物包括：

按重量計約0.1％到約50％的過硫酸鹽；

按重量計約0.01％到約5％的唑化合物；

按重量計約0.05％到約0.25％的氟化合物；以及

按重量計約45％到約99.84％的溶劑。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，對數據金屬層和氧化物半導體層兩者進行的圖案化包括使用蝕刻劑組合物，并且所述蝕刻劑組合物包括：

按重量計約1％到約10％的過硫酸鹽；

按重量計約0.1％到約1％的唑化合物；

按重量計約0.1％到約0.2％的氟化合物；以及

按重量計約85％到約99％的溶劑。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，當將所述蝕刻劑組合物的總重量定義為100份時，所述蝕刻劑組合物進一步包括按重量計約0.01份至約40份的添加劑，所述添加劑包括選自硝酸、硝酸鹽、硫酸、硫酸鹽、磷酸、磷酸鹽、醋酸以及醋酸鹽組成的組中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，當將所述蝕刻劑組合物的總重量定義為100份時，所述蝕刻劑組合物進一步包括按重量計約0.001份至約10份的磺酸基化合物或按重量計約0.0001份至約5份的螯合劑。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一銅合金層包括銅和錳。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述數據金屬層進一步包括形成在所述第一銅合金層上的銅層。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述氧化物半導體層和所述數據金屬層之間形成蝕刻阻止層，所述蝕刻阻止層與所述柵電極的至少一部分交疊。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述源極圖案包括：

在具有所述氧化物半導體層、所述蝕刻阻止層和所述數據金屬層的所述底基板上的源極區和漏極區上形成光刻膠圖案，以露出所述源極區和所述漏極區之間的溝道區；以及

利用蝕刻劑組合物并利用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模對所述數據金屬層和所述氧化物半導體層進行蝕刻，

其中，對所述數據金屬層和所述氧化物半導體層進行蝕刻以形成所述數據線、所述源電極、所述漏電極和所述半導體圖案。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述源極圖案包括：

在所述數據金屬層上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案具有位于源極線區、源極區和漏極區上的第一部分以及位于所述源極區和所述漏極區之間的溝道區上的第二部分，所述第一部分厚于所述第二部分；

利用蝕刻劑組合物并利用所述光刻膠圖案作為蝕刻掩模對所述數據金屬層和所述氧化物半導體層進行蝕刻；

去除所述溝道區上的所述光刻膠圖案以露出溝道區上的所述數據金屬層；以及

去除溝道區上的所述數據金屬層以露出所述溝道區上的所述半導體圖案，

其中，蝕刻所述數據金屬層和所述氧化物半導體層，從而形成所述半導體圖案，所述數據線和連接至所述數據線的電極圖案形成在所述源極區、漏極區和溝道區上，并且其中，在露出所述溝道區上的所述半導體圖案時，去除所述溝道區上的所述電極圖案，從而形成所述源電極和所述漏電極。