[發明專利]掩蔽方法

有效

• 申請號: 201010205176.2
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN101924032A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: H·諾伊豪斯;A·克勞澤;B·比特納爾;F·班伯格;R·施洛瑟
• 申請（專利權）人: 太陽世界創新有限公司
• 主分類號: H01L21/312
• 分類號: H01L21/312;H01L21/3205;G03F1/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種掩蔽半導體襯底(1)的方法，包括以下步驟：

a.提供平面半導體襯底(1)，所述平面半導體襯底(1)具有：

i.第一側面(2)；以及

ii.第二側面(3)，其與所述第一側面(2)相反，

b.將掩模(4)施加到所述側面(2，3)中的至少一個，

c.使用擠出印刷方法來施加所述掩模(4)。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述掩模(4)在所述施加期間呈現至少1Pa·s的粘度。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述掩模(4)在所述施加期間呈現至少10Pa·s的粘度。

4.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述掩模(4)在所述施加期間呈現至少30Pa·s的粘度。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述掩模(4)呈現具有不同掩模材料(11，12)的至少兩個鄰近區域。

6.根據權利要求5的方法，其特征在于，所述不同掩模材料(11，12)呈現至多也是可忽略的可混性。

7.根據權利要求5的方法，其特征在于，同時向所述半導體襯底(1)施加所述不同掩模材料(11，12)。

8.根據權利要求5的方法，其特征在于，通過共擠出印刷方法同時向所述半導體襯底(1)施加所述不同掩模材料(11，12)。

9.根據權利要求1的方法，其特征在于，通過具有壓力頭(6；6a)的壓力裝置(5)施加所述掩模(4)。

10.根據權利要求1的方法，其特征在于，至少兩種掩模材料(11，12)被導引通過所述壓力頭(6a)中的共用噴嘴(7)中的不同通道(17)。

11.根據權利要求5的方法，其特征在于，使用有機掩蔽材料(12)作為第一掩模材料。

12.根據權利要求5的方法，其特征在于，使用樹脂或蠟的組中的一個作為第一掩模材料。

13.根據權利要求11的方法，其特征在于，在施加所述掩模(4)之后加熱所述半導體襯底(1)，所述掩蔽材料(11)在加熱到工藝溫度(T_p)期間固化。

14.根據權利要求5的方法，其特征在于，使用犧牲材料(12)作為第二掩模材料，并且在施加所述掩模(4)之后加熱所述半導體襯底(1)，所述犧牲材料(12)在加熱到工藝溫度(T_p)期間蒸發。

15.根據權利要求5的方法，其特征在于，使用用于蝕刻所述半導體襯底上的層的蝕刻漿糊作為所述第二掩模材料(12)。

16.根據權利要求5的方法，其特征在于，在施加所述掩模(4)之后，進行摻雜步驟，所述第一掩模材料(11)至少部分地吸收摻雜劑束。

17.根據權利要求5的方法，其特征在于，在施加所述掩模(4)之后，進行離子注入步驟，所述第一掩模材料(11)至少部分地吸收摻雜劑束。

18.一種根據權利要求1的方法的用途，用于制造摻雜掩模。

19.一種制造用于半導體部件的接觸結構的方法，包括以下步驟：

a.根據上述權利要求中的一項掩蔽半導體襯底(1)的至少一個側面(2，3)；

b.在至少一些區域中，將導電金屬化施加到至少一個被掩蔽的側面(2，3)。

20.一種在制造半導體部件期間的中間產品，包括：

a.平面設計的半導體襯底(1)，其具有：

i.第一側面(2)；以及

ii.第二側面(3)，其與所述第一側面(2)相反；

b.掩模(4)，其在所述側面(2，3)中的至少一個上，

c.所述掩模(4)呈現具有不同掩模材料(11，12)的至少兩個鄰近區域(9，10)。

21.根據權利要求20的中間產品，其特征在于，所述不同掩模材料(11，12)被選擇為使至少一種材料通過加熱到工藝溫度(T_p)可固化，而另一種材料在所述加熱期間可蒸發。