[發(fā)明專利]記憶體單元及相關(guān)記憶體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010204760.6
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN102280137A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張順志;鐘明良;陳柏穎;黃崇銘
• 申請（專利權(quán)）人: 奇景光電股份有限公司;財團法人成大研究發(fā)展基金會
• 主分類號: G11C11/40
• 分類號: G11C11/40
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶體單元，其特征在于包含：

一對子單元，每一該子單元包括一存取晶體管、一儲存晶體管以及一隔離晶體管，其依序借由連接源極/漏極而串聯(lián)耦接在一起，其中，該隔離晶體管是共享使用于一鄰近記憶體單元的該子單元，且該隔離晶體管是一直關(guān)閉的，且該儲存晶體管是一直導(dǎo)通的；

一字符線，耦接至每一該子單元的存取晶體管的一柵極；及

二互補的位線，其分別耦接至該對子單元的存取晶體管的源極/漏極，因此借由該存取晶體管，可于相應(yīng)的該位線與該儲存晶體管之間存取數(shù)據(jù)位。

2.如權(quán)利要求1所述的記憶體單元，其特征在于未與該些儲存晶體管連接的該些存取晶體管的源極/漏極是分別耦接至該些互補位線。

3.如權(quán)利要求1所述的記憶體單元，其特征在于該存取晶體管、該儲存晶體管以及該隔離晶體管是為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的記憶體單元，其特征在于所述的記憶體單元，其中該存取晶體管、該儲存晶體管以及該隔離晶體管是為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的記憶體單元，其特征在于該儲存晶體管的柵極是耦接至一接地端。

6.如權(quán)利要求4所述的記憶體單元，其特征在于該隔離晶體管的柵極是耦接至一電源。

7.如權(quán)利要求1所述的記憶體單元，其特征在于互補數(shù)據(jù)位元是分別儲存于該對子單元的該些儲存晶體管中。

8.如權(quán)利要求1所述的記憶體單元，其特征在于未與該些儲存晶體管連接的該些隔離晶體管的源極/漏極是分別耦接于該鄰近記憶體單元的該些子單元的該些儲存晶體管。

9.一種記憶體裝置，其特征在于包含：

復(fù)數(shù)個記憶體單元，每一該記憶體單元包括：

一對子單元，每一該子單元包括一存取晶體管、一儲存晶體管以及一隔離晶體管，其依序借由連接源極/漏極而串聯(lián)耦接在一起，其中，該隔離晶體管是共享使用于一鄰近記憶體單元的該子單元，且該隔離晶體管是一直關(guān)閉的，且該儲存晶體管是一直導(dǎo)通的；

一字符線，耦接至每一該子單元的該存取晶體管的柵極；

二互補的位線，其分別耦接至該對子單元的存取晶體管的源極/漏極，因此借由該存取晶體管，可于相應(yīng)的該位線與該儲存晶體管之間存取數(shù)據(jù)位；

一預(yù)充電路，耦接于該些互補位線之間，當(dāng)該預(yù)充電路被啟動時，用以對該些互補位線預(yù)先充電至一電壓準(zhǔn)位；及

一感測放大器，耦接于該些互補位線之間，當(dāng)該感測放大器被啟動時，用以分別驅(qū)動該些互補位線至一電源及一接地端的準(zhǔn)位。

10.如權(quán)利要求9所述的記憶體單元，其特征在于該存取晶體管、該儲存晶體管以及該隔離晶體管是為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

11.如權(quán)利要求9所述的記憶體單元，其特征在于該存取晶體管、該儲存晶體管以及該隔離晶體管是為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。

12.如權(quán)利要求11所述的記憶體單元，其特征在于該儲存晶體管的柵極是耦接至該接地端。

13.如權(quán)利要求11所述的記憶體單元，其特征在于該隔離晶體管的柵極是耦接至一電源。

14.如權(quán)利要求9所述的記憶體單元，其特征在于互補數(shù)據(jù)位是分別儲存于該對子單元的該些儲存晶體管中。

15.如權(quán)利要求9所述的記憶體單元，其特征在于未與該些儲存晶體管連接的該些存取晶體管的源極/漏極是分別耦接于該些互補位線。

16.如權(quán)利要求9所述的記憶體單元，其特征在于未與該些儲存晶體管連接的該些隔離晶體管的源極/漏極是分別耦接于該鄰近記憶體單元的該些子單元的該些儲存晶體管。