[發明專利]發光二極管封裝結構及其方法有效
| 申請號: | 201010204618.1 | 申請日: | 2010-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN101872827A | 公開(公告)日: | 2010-10-27 |
| 發明(設計)人: | 李漫鐵;李志新 | 申請(專利權)人: | 深圳雷曼光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人: | 張明 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種發光二極管封裝結構,其特征在于,包括:
支架、LED晶片、導線、熒光粉層以及外封膠;
所述支架包括位于頂端端面的凹槽承接座,所述LED晶片通過底膠固定于所述凹槽承接座底部;
所述導線電連接所述LED晶片和支架;
所述熒光粉層設置于所述凹槽承接座內,覆蓋所述LED出光面,并且所述熒光粉層混有納米硅粉;
所述外封膠包覆所述LED晶片、導線、熒光粉層及凹槽承接座所在的部分所述支架。
2.根據權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于:所述納米硅粉的粒徑為5~10nm之間。
3.根據權利要求2所述的發光二極管封裝結構,其特征在于:所述熒光粉層中除納米硅粉外的其他物質與納米硅粉之間的重量比例為:0.01~0.05∶2。
4.根據權利要求1至3任一項所述的發光二極管封裝結構,其特征在于:所述外封膠高出所述凹槽承接座、低于所述凹槽承接座底面,其中,低于所述凹槽承接座底面的所述外封膠區域分布有擴散劑,高出所述凹槽承接座的所述外封膠區域無擴散劑分布。
5.根據權利要求1至3任一項所述的發光二極管封裝結構,其特征在于:所述支架包括兩根并列的電極,所述電極一端的端面設有凹槽承接座,所述LED晶片通過底膠固定于所述凹槽承接座底部,所述導線數量為二,所述兩根導線各一端分別電連接所述兩根電極,所述兩根導線各另一端電連接所述LED晶片。
6.一種發光二極管封裝方法,其特征在于,包括:
通過底膠將LED晶片固定在支架的凹槽承接座底部,并對已固定LED晶片的底膠進行烘烤固化;
通過導線將已固定的LED晶片的電極與所述支架連接;
在連接好所述導線后往凹槽承接座內填充含有熒光粉和納米硅粉的熒光體流體;
對所述熒光體流體進行烘烤。
7.根據權利要求6所述的發光二極管封裝方法,其特征在于:
所述往凹槽承接座內填充含有熒光粉和納米硅粉的熒光體流體的步驟中,所述納米硅粉預先加入含有熒光粉的流體中進行攪拌,再往凹槽承接座內填充所述熒光體流體,其中熒光體流體除納米硅粉外其他物質與所述納米硅粉之間的重量比例為:0.01~0.05∶2。
8.根據權利要求7所述的發光二極管封裝方法,其特征在于:
所述對已固定LED晶片的底膠進行烘烤固化的步驟是指采用厚度是LED晶片高度1/4~1/3的底膠烘烤1-5小時,烘烤溫度為100~180℃;
所述對熒光體流體進行烘烤的步驟是指對熒光體流體進行烘烤溫度為100-200℃、烘烤時間為1-5小時的烘烤。
9.根據權利要求6至8任一項所述的發光二極管封裝方法,其特征在于,在對所述熒光體流體進行烘烤的步驟后,包括:
在所述支架凹槽承接座以上部位灌透明不含擴散劑的膠水;
對所述凹槽承接座以上部位的膠水進行不充分烘烤固化,使其粘度變大;
進行所述不充分烘烤固化后,在所述支架凹槽承接座以下部位灌添加擴散劑的膠水;
對所述凹槽承接座以上和以下部位的所有膠水進行充分烘烤固化。
10.根據權利要求6至8任一項所述的發光二極管封裝方法,其特征在于,在對所述熒光體流體進行烘烤的步驟后,包括:
在所述支架凹槽承接座以下部位灌添加擴散劑的膠水;
對所述凹槽承接座以下部位的膠水進行不充分烘烤固化,使其粘度變大;
進行所述不充分烘烤固化后,在所述支架凹槽承接座以上部位灌透明不含擴散劑的膠水;
對所述凹槽承接座以上和以下部位的所有膠水進行充分烘烤固化。
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