[發明專利]一種Nandflash U盤控制器讀寫Norflash存儲器的方法

有效

• 申請號: 201010204002.4
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN101866695A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 鄭茳;肖佐楠;匡啟和;王廷平;薛毅
• 申請（專利權）人: 蘇州國芯科技有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡

1.一種Nandflash?U盤控制器讀寫Norflash存儲器的方法，其特征在于：對于地址線與數據線分開設計的Norflash存儲器，將Nandflash?U盤控制器原有的數據與地址復用端口作為Norflash存儲器的數據端口；將Nandflash?U盤控制器原有控制信號端口中的Nandflash寫允許信號作為Norflash存儲器的寫允許信號，Nandflash讀允許信號作為Norflash存儲器的輸出允許信號；采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器地址信號的時序和電平要求模擬產生相應的地址信號；

按照Norflash存儲器提供的讀寫時序要求，在Nandflash?U盤控制器中添加Norflash存儲器的軟件驅動程序，使Nandflash?U盤控制器原有的數據與地址復用端口、控制信號端口和通用輸入輸出端口產生Norflash存儲器讀寫操作所需要的時序。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器片選控制信號的時序和電平要求模擬產生相應的片選控制信號。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器數據端口模式選擇控制信號的時序和電平要求模擬產生相應的數據端口模式選擇控制信號。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器寫保護信號的時序和電平要求模擬產生相應的寫保護信號。

5.一種Nandflash?U盤控制器讀寫Norflash存儲器的方法，其特征在于：對于地址線與數據線復用設計的Norflash存儲器，將Nandflash?U盤控制器原有的數據與地址復用端口作為Norflash存儲器的數據端口和低位地址端口；將Nandflash?U盤控制器原有控制信號端口中的Nandflash寫允許信號作為Norflash存儲器的寫允許信號，Nandflash讀允許信號作為Norflash存儲器的輸出允許信號；采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器高位地址信號的時序和電平要求模擬產生相應的高位地址信號；采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器地址鎖存控制信號的時序和電平要求模擬產生相應的地址鎖存控制信號；

按照Norflash存儲器提供的讀寫時序要求，在Nandflash?U盤控制器中添加Norflash存儲器的軟件驅動程序，使Nandflash?U盤控制器原有的數據與地址復用端口、控制信號端口和通用輸入輸出端口產生Norflash存儲器讀寫操作所需要的時序。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器片選控制信號的時序和電平要求模擬產生相應的片選控制信號。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器數據端口模式選擇控制信號的時序和電平要求模擬產生相應的數據端口模式選擇控制信號。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：采用Nandflash?U盤控制器原有的通用輸入輸出端口，按照Norflash存儲器寫保護信號的時序和電平要求模擬產生相應的寫保護信號。