[發明專利]光學傳輸模塊

有效

• 申請號: 201010203887.6
• 申請日: 2010-06-12
• 公開（公告）號: CN101872043A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 伍茂仁;藍孝晉;李韻芝;張家齊;蕭旭良;陳進達;沈帛寬;盧冠甫;張彥中;常振宇
• 申請（專利權）人: 伍茂仁
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 許志勇

1.一種光學傳輸模塊，應用于對一第一電信號的轉換與傳輸，該光學傳輸模塊包含有：

一半導體基板；

一第一膜層，形成于該半導體基板的第一表面上；

一電子組件層，形成于該半導體基板的第二表面上，用以將該第一電信號轉換成一光信號后發射；以及

一光波導結構，形成于該第一膜層上，該光波導結構包含有一第一反射面、一光波導結構主體和一第二反射面；

其中該光信號能穿透該半導體基板和該第一膜層而進入該光波導結構，并經該第一反射面的反射而于該光波導結構主體中傳輸，再經該第二反射面的反射而穿透該第一膜層和該半導體基板而由該電子組件層接收，進而將該光信號轉換成一第二電信號后傳輸。

2.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該半導體基板為一單晶硅基板。

3.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該電子組件層包含有一光源單元，用以將該第一電信號轉換成該光信號后發射。

4.如權利要求3所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該光源單元為一發光二極管、一半導體激光器或一垂直腔面發射激光器。

5.如權利要求3所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該第一反射面是位于該光波導結構的第一端上，且該第一反射面的位置和該光源單元相對應。

6.如權利要求3所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該電子組件層包含有：

一第二膜層，形成于該半導體基板的第二表面上，用以提供抗反射；以及

一驅動電路，形成于該半導體基板的第二表面上并相鄰于該第二膜層，用以通過傳輸該第一電信號以進行驅動；

其中該光源單元對應該第二膜層而設置于該驅動電路上并和該驅動電路完成電連接。

7.如權利要求3所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該電子組件層包含有：

一第二膜層，形成于該半導體基板的第二表面上，用以提供電絕緣；以及

一驅動電路，形成于該第二膜層上，用以通過傳輸該第一電信號以進行驅動；

其中該光源單元設置于該驅動電路上并和該驅動電路完成電連接。

8.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該電子組件層包含有一光檢測單元，用以接收該光信號并將該光信號轉換成該第二電信號后傳輸。

9.如權利要求8所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該光檢測單元為一光接收二極管或一光學接收器。

10.如權利要求8所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該第二反射面是位于該光波導結構的第二端上，且該第二反射面的位置和該光檢測單元相對應。

11.如權利要求8所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該電子組件層包含有：

一第三膜層，形成于該半導體基板的第二表面上，用以提供抗反射；以及

一轉阻放大器電路，形成于該半導體基板的第二表面上并相鄰于該第三膜層，用以將該光檢測單元所轉換的該第二電信號放大后加以輸出；

其中該光檢測單元對應該第三膜層而設置于該轉阻放大器電路上并和該轉阻放大器電路完成電連接。

12.如權利要求8所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該電子組件層包含有：

一第二膜層，形成于該半導體基板的第二表面上，用以提供電絕緣；以及

一轉阻放大器電路，形成于該第二膜層上，用以將該光檢測單元所轉換的該第二電信號放大后加以輸出；

其中該光檢測單元設置于該轉阻放大器電路上并和該轉阻放大器電路完成電連接。

13.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該光波導結構為一硅材質，而該第一反射面、該第二反射面分別和該第一膜層夾有45度的夾角。

14.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該光信號為可于硅材質中進行傳輸的近紅外光。

15.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該第一膜層的折射率小于該光波導結構的折射率。

16.如權利要求1所述的光學傳輸模塊，其特征在于，該光信號經該第一反射面的反射后，以全反射方式于該光波導結構主體中進行傳輸。