[發(fā)明專利]半導體存儲元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010202950.4 | 申請日： | 2010-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN102208416A | 公開（公告）日： | 2011-10-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 任興華 | 申請（專利權(quán)）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/108 | 分類號： | H01L27/108;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 11276 | 代理人： | 劉云貴 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 存儲 元件 | ||
1.一種半導體存儲元件，包含：
基底，包含絕緣區(qū)域和設置于該絕緣區(qū)域上的半導體區(qū)域；
第一絕緣元件和第二絕緣元件，彼此相互平行并且分別嵌入于該半導體區(qū)域；
載流子區(qū)域，設于該半導體區(qū)域中并且介于該第一絕緣元件和該第二絕緣元件之間；
源極/漏極摻雜區(qū)，設于該載流子區(qū)域；
第一絕緣層，介于該源極/漏極摻雜區(qū)之間；
浮置區(qū)域，設于該載流子區(qū)域并且位于該源極/漏極摻雜區(qū)下方；
重摻雜區(qū)，設于該浮置區(qū)域；
第一柵極介電層，設于該載流子區(qū)域的第一側(cè)壁；
第一柵極，設于該第一柵極介電層上；
第一導電線，設于該第一絕緣元件下方并且電性連接該重摻雜區(qū)；以及
第二絕緣層，由該第一絕緣元件和該第二絕緣元件延伸至該絕緣區(qū)域，以使該浮置區(qū)域絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，另包含第一溝道，其電性連接該源極/漏極摻雜區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體存儲元件，另包含第二溝道，其電性連接該重摻雜區(qū)與該源極/漏極摻雜區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的半導體存儲元件，其中進行寫入操作時，電流由該第二溝道流入并儲存在該浮置區(qū)域。????
5.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，另包含：
第二柵極介電層，設于該載流子區(qū)域的第二側(cè)壁；以及
第二柵極，設于該第二柵極介電層上。
6.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，其中該第一導電線包含堆疊結(jié)構(gòu)，該堆疊結(jié)構(gòu)包含多晶硅層和金屬層。
7.如權(quán)利要求6所述的半導體存儲元件，其中該多晶硅層埋入于該半導體區(qū)域的底部，而該金屬層埋入于該絕緣區(qū)域中。
8.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，其中該第二絕緣層部分圍繞該第一導電線并且曝露出該第一導電線與該重摻雜區(qū)相鄰的的表面。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，另包含設于該第二絕緣元件下方的第二導電線。
10.如權(quán)利要求9所述的半導體存儲元件，其中該第二絕緣層圍繞該第二導電線。
11.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，其中該源極/漏極摻雜區(qū)與該重摻雜區(qū)皆為第一導電型態(tài)。
12.如權(quán)利要求1所述的半導體存儲元件，其中該浮置區(qū)域為第二導電型態(tài)。
13.一種半導體存儲元件，包含：
基底，包含絕緣區(qū)域和設置于該絕緣區(qū)域上的半導體區(qū)域；
多個絕緣體，嵌入于該半導體區(qū)域并且定義出多個有源區(qū)域，其中所述多個有源區(qū)域中的至少一者包含：
第一絕緣元件和第二絕緣元件，彼此相互平行并且分別嵌入于該有源區(qū)域內(nèi)的該半導體區(qū)域；
載流子區(qū)域，設于該有源區(qū)域內(nèi)的該半導體區(qū)域中，并且介于該第一絕緣元件和該第二絕緣元件之間；
雙晶體管單元，設置于該有源區(qū)域，該雙晶體管單元包含：
水平埋入式晶體管，包含：設置于該載流子區(qū)域的主表面的源極；設置于該載流子區(qū)域的該主表面的讀取漏極；介于該源極與該讀取漏極之間的第一絕緣層；以及環(huán)繞該第一絕緣層并且介于該源極與該讀取漏極之間的U形溝道；以及
垂直埋入式晶體管，包含：該源極；設置于該載流子區(qū)域并且位于該源極下方的寫入漏極；以及介于該源極和該寫入漏極之間的垂直溝道；
第一柵極，設于該載流子區(qū)域的第一側(cè)壁；
第一柵極介電層，介于該第一柵極和該第一側(cè)壁之間；
第二柵極，設于該載流子區(qū)域的第二側(cè)壁；以及
第二柵極介電層，介于該第二柵極和該第二側(cè)壁之間；
第一導電線，設于該第一絕緣元件下方并且電性連接該寫入漏極；以及
第二絕緣層，由該第一絕緣元件和該第二絕緣元件延伸至該絕緣區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的半導體存儲元件，另包含第二導電線，其設于該第二絕緣元件下方。
15.如權(quán)利要求14所述的半導體存儲元件，其中該第二絕緣層圍繞該第二導電線。
16.如權(quán)利要求13所述的半導體存儲元件，其中該第二絕緣層部分圍繞該第一導電線并且曝露出該第一導電線與該寫入漏極相鄰的的表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
