[發(fā)明專利]電子器件封裝及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010202786.7
• 申請(qǐng)日: 2010-06-10
• 公開（公告）號(hào): CN101924038A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: Q·洛;P·瓦里奧特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LSI公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)總的涉及電子器件封裝及其制造方法，更具體地，涉及具有分開的金屬接合層的器件封裝。

背景技術(shù)

當(dāng)前的引線框基礎(chǔ)封裝(leadframe?base?packages)包括在銅箔中蝕刻的銅跡線。這些跡線是在集成電路(IC)與外部封裝周邊引線之間的電連接的一部分。由于蝕刻分辨率的限制，這些銅跡線增加了封裝在橫向尺寸上的大小。跡線越長，電寄生效應(yīng)的可能性越大，所述電寄生效應(yīng)可以干擾從IC發(fā)送的和發(fā)送到IC的電信號(hào)。另外，常常通過將銅箔鍍以耐蝕金屬(例如，鎳-鈀合金)來定義銅跡線的圖案化。然而，這樣的圖案化方案常常要求多個(gè)掩模和鍍的步驟，這又會(huì)增加制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一個(gè)實(shí)施例是一種制造電子器件封裝的方法。所述方法包括：將金屬層的第一面涂覆以第一絕緣層；以及將所述金屬層的相對(duì)的第二面涂覆以第二絕緣層。所述方法進(jìn)一步包括：將所述第一絕緣層圖案化，以暴露所述金屬層的第一側(cè)上的接合位置；以及將第二絕緣層圖案化以使得相對(duì)的第二面上的第二絕緣層的剩余部分位置正對(duì)于第一面上的接合位置。所述方法還包括：有選擇地去除所述相對(duì)的第二面上的未被所述第二絕緣層的剩余部分覆蓋的金屬層的部分，以形成分開的共面金屬層。所述分開的共面金屬層包括所述接合位置。所述方法進(jìn)一步包括：有選擇地去除所述第二絕緣層的剩余部分，從而暴露所述分開的共面金屬層的所述相對(duì)的第二面上的第二接合位置。

另一實(shí)施例是一種電子器件封裝。所述封裝包括：電子器件，其附接到被配置為器件安裝位點(diǎn)的、多個(gè)共面的分開的金屬接合層之一的第一面。所述器件還包括：導(dǎo)線，其被接合到電子器件的互連焊盤，并接合到被配置為導(dǎo)線接合焊盤的、所述分開的共面金屬接合層中其他的分開的共面金屬接合層的第一面。所述器件進(jìn)一步包括：與所述分開的共面金屬接合層不共面的絕緣層。所述絕緣層中的開口的周界與所述導(dǎo)線所接合的所述共面的分開的金屬接合層的周界接觸。

附圖說明

現(xiàn)在參考下面的結(jié)合附圖的描述，在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本公開的制造電子器件封裝的示例方法的流程圖；

圖2-11B示出了本公開的(例如，如通過圖1所示的步驟制造的)電子器件封裝的制造過程中的選定的步驟的截面圖；以及

圖12示出了本公開的示例電子器件封裝(諸如圖9中示出的電子器件封裝)的平面圖。

具體實(shí)施方式

本公開提供了一種制造電子器件封裝的方法，其利用雙面圖案化工藝來提供具有被絕緣層分開的接合位置的分開的金屬層。所公開的方法使得不需要對(duì)耐蝕金屬進(jìn)行圖案化，從而簡化并降低了制造工藝的成本。所述絕緣層對(duì)封裝提供結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。在封裝中利用分開的金屬層有助于阻止電寄生效應(yīng)的發(fā)生。

本公開的一個(gè)實(shí)施例是一種制造電子器件封裝的方法。圖1示出了制造電子器件封裝的示例方法100的流程圖。所述方法100包括：步驟110，將金屬層的第一面涂覆以第一絕緣層；以及步驟115，將所述金屬層的相對(duì)的第二面涂覆以第二絕緣層。所述方法100還包括：步驟120，將第一絕緣層圖案化以暴露所述金屬層的第一面上的接合位置。所述方法100還包括：步驟125，將第二絕緣層圖案化以使得第二面上的第二絕緣層的剩余部分位置正對(duì)于所述金屬層的第一面上的所述接合位置。在有些情況下，金屬層的兩面都涂覆以絕緣層(步驟110、115)，并然后將絕緣層圖案化(步驟120、125)。在其它情況下，第一面被涂敷并且第一絕緣層被圖案化(步驟110和120)，并然后，第二面被涂敷并且第二絕緣層被圖案化(步驟115和125)。在其他情況下，在步驟125中不將第二絕緣層圖案化，直到執(zhí)行方法100中的附加步驟(例如，如下所述的步驟138至155中的一個(gè)或更多個(gè))。

方法100進(jìn)一步包括：步驟130，有選擇地去除相對(duì)的第二面上的未被第二絕緣層的剩余部分覆蓋的金屬層的部分，以形成分開的共面金屬層。所述分開的共面金屬層包括所述接合位置。方法100還包括：步驟135，有選擇地去除第二絕緣層的所述剩余部分，以使得暴露所述分開的共面金屬層的剩余部分的相對(duì)的第二面上的第二接合位置。

如圖1中進(jìn)一步所示的，在一些實(shí)施例中，方法100進(jìn)一步包括：步驟138，將金屬鍍層淀積到金屬層的第一面上的所述接合位置中的至少一個(gè)。所述金屬鍍層可以促進(jìn)后續(xù)的到所述接合位置的導(dǎo)線接合。