[發(fā)明專利]光信息記錄介質(zhì)重放裝置及其控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010202590.8
• 申請日: 2008-09-25
• 公開（公告）號: CN101847423A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 山本真樹;山田博久;原田康弘;森豪;田島秀春;前田茂己;村上善照
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/005
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張遠

本申請是申請日為：2008年9月25日、申請?zhí)枮椋?00880111407.4、發(fā)明名稱為：“光信息記錄介質(zhì)重放裝置及其控制方法”的PCT國際申請的分案申請。

技術領域

本發(fā)明涉及一種采用超分辨重放技術來重放光信息記錄介質(zhì)的光信息記錄介質(zhì)重放裝置及其控制方法。

背景技術

近年來，隨著高度的信息化、信息通信以及多媒體技術的發(fā)展，對于光信息記錄介質(zhì)的高密度化、大容量化的要求也越來越高。

作為滿足上述要求而進行開發(fā)的技術，例如有使信息記錄層構成為多層結構的多層化技術、以及采用了重放膜的超分辨技術等。通過該超分辨技術，能夠?qū)﹂L度短于光信息記錄介質(zhì)重放裝置分辨極限的記錄標記進行重放。

以下，關于多層化技術進行說明。首先，介紹多層化技術中結構較為簡單的2層化技術。2層化光信息記錄介質(zhì)具有如專利文獻1所示的結構：從重放激光入射面?zhèn)乳_始，依次設置了第1信息記錄層、第2信息記錄層，并以中間層隔開各信息記錄層。此外，由于第1記錄層為可使重放光透過的半透明層，因此，可使得通過重放激光入射面射入的重放激光在各信息記錄層聚焦，從而能夠在各個記錄層記錄和重放信息。從而，通過采用此類2層化技術，單純計算可知，能夠使上述光信息記錄介質(zhì)的信息記錄容量增為2倍。

對于具有3層以上信息記錄層的光信息記錄介質(zhì)，也能采用與上述2層化技術的例子同樣的結構，即，從重放激光入射面開始以第1記錄層、第2記錄層、第3記錄層……第n記錄層的順序來設置信息記錄層，并且以中間層隔開各信息記錄層。

上述光信息記錄介質(zhì)中并未采用超分辨技術，各層所記錄的最短記錄標記的長度長于光信息記錄介質(zhì)重放裝置分辨極限的長度。

接下來說明超分辨技術。超分辨技術(超分辨率技術)是指，通過用于重放的光學系對記錄標記長度為光學分辨率極限(以下稱之為光衍射極限)以下的信號進行重放的技術。更具體地說，如果從光源照射出的光的波長為λ、用于形成光斑的物鏡數(shù)值孔徑為NA時，光斑直徑大致為λ/NA。

對記錄標記長度為該光衍射極限以下的記錄標記進行記錄和重放的技術稱之為超分辨技術。此外，采用此類超分辨技術來重放光信息記錄介質(zhì)的技術稱之為超分辨重放。

另外，已知相當于光斑直徑之1/4的λ/(4NA)左右的長度為現(xiàn)有光信息重放裝置的分辨極限，即，未采用超分辨技術的光信息重放裝置的分辨極限。以下，將該極限簡稱為分辨極限。分辨極限在理論要素之外還受光學系內(nèi)的其他要素的影響，因此，實際的分辨極限值和根據(jù)波長以及數(shù)值孔徑求出的理論值之間有時會有一定差距。

如上所述，通過采用超分辨技術，能夠?qū)τ涗洏擞涢L度超過分辨極限的記錄標記進行記錄和重放，從而能夠擴大光信息記錄介質(zhì)的信息記錄容量。

在專利文獻2中，作為超分辨技術，揭示了一種采用了具有凹凸形狀預坑的超分辨技術的、被稱為Super-ROM的超分辨光信息記錄介質(zhì)，預坑的該凹凸形狀用于信息的重放。

雖然該超分辨光信息記錄介質(zhì)的詳細重放機理尚不清楚，但是已證實，在重放專用型盤的反射膜上，如果以Mo、W、Si和Ge等取代歷來使用的Al或Au，就能夠?qū)νㄟ^現(xiàn)有光學系所無法進行重放的、記錄坑長度小于分辨極限的信號也進行重放。

此外，通過兼用上述多層化技術和超分辨技術，即，通過在多層光信息記錄介質(zhì)的各個信息記錄層上采用超分辨技術而實現(xiàn)的、所謂多層超分辨技術，其作為一種可進一步擴大信息記錄容量的技術備受矚目。在此，該技術可適用于上述多層化技術中的上述2層化技術。此時，可稱之為2層超分辨技術。

然而，一般情況下，要想以超分辨技術進行超分辨重放，需利用高于通常的重放激光功率。作為超分辨技術的一個示例，例如有在信息記錄層上設置所謂的掩膜層的掩膜型超分辨技術。

該掩膜型超分辨技術根據(jù)不同的特性，可分為熱模式方式和光模式方式2種。但是，無論是熱模式方式還是光模式方式，制作掩膜區(qū)域和孔徑(aperture)區(qū)域時，在介質(zhì)中要求相對應的高溫和較大光量。因此，要求比通常狀態(tài)高的重放激光功率。此外，對于掩膜型超分辨技術以外的其他超分辨技術，例如專利文獻2中記載的超分辨技術，也要求比通常狀態(tài)高的重放激光功率。

但是，如果在不適當?shù)母咧胤偶す夤β氏聦π畔⒂涗泴舆M行重放，將會導致記錄標記發(fā)生破損。

專利文獻1：日本國專利申請公開特開2007-026503號公報(公開日：2007年2月1日)

專利文獻2：日本國專利申請公開特開2001-250274號公報(公開日：2001年9月14日)