[發明專利]垂直磁記錄介質及其制造和相應的磁存儲裝置

有效

• 申請號: 201010202485.4
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN101923864A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 殿岡俊;荒井禮子;中川宏之;棚橋究
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667;G11B5/738
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張煥生;謝麗娜

1.一種垂直磁記錄介質，包括：

至少一個軟磁性底層，所述至少一個軟磁性底層在襯底上方；

晶種層，所述晶種層在所述至少一個軟磁性底層上方；

中間層，所述中間層在所述晶種層上方；

磁記錄層，所述磁記錄層在所述中間層上方；以及

保護層，所述保護層在所述磁記錄層上方，

其中所述晶種層包括在第一晶種層上方的第二晶種層，

其中所述第一晶種層包括具有面心立方(FCC)結構的非磁性合金，以及

其中所述第二晶種層包括具有FCC結構的軟磁性合金。

2.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第一晶種層包括鎳-鎢(NiW)合金。

3.如權利要求2所述的垂直磁記錄介質，其中，所述NiW合金中鎢(W)的含量小于約20個原子百分比(at.％)。

4.如權利要求2所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第二晶種層包括具有主要成分為鎳-鐵(NiFe)或鈷-鐵(CoFe)的合金。

5.如權利要求4所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第二晶種層包括鎢(W)、釩(V)和鉭(Ta)中的至少一種。

6.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第一晶種層包括鎳-鎢-鉻(NiWCr)合金。

7.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第一晶種層的膜厚度在約2nm至約8nm的范圍內，以及其中所述第二晶種層的膜厚度在約2nm至約7nm的范圍內。

8.如權利要求1所述的垂直磁記錄介質，其中，所述中間層包括釕(Ru)或其合金。

9.一種磁盤驅動系統，包括：

權利要求1所述的垂直磁記錄介質；

至少一個磁頭，所述至少一個磁頭用于寫入所述磁介質；

滑橇，所述滑橇用于支撐所述至少一個磁頭；以及

控制元件，所述控制元件耦合到所述至少一個磁頭，用于控制所述至少一個磁頭的操作。

10.一種垂直磁記錄介質，包括：

至少一個軟磁性底層，所述至少一個軟磁性底層在襯底上方；

晶種層，所述晶種層在所述至少一個軟磁性底層上方；

中間層，所述中間層在所述晶種層上方；

磁記錄層，所述磁記錄層在所述中間層上方；以及

保護層，所述保護層在所述磁記錄層上方，

其中所述晶種層為至少兩個周期的層積膜單元的層積結構，所述層積膜單元包括第一晶種層和第二晶種層，

其中所述第一晶種層包括具有面心立方(FCC)結構的非磁性合金，以及

其中所述第二晶種層包括具有FCC結構的軟磁性合金。

11.如權利要求10所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第一晶種層包括鎳-鎢(NiW)合金。

12.如權利要求11所述的垂直磁記錄介質，其中，所述NiW合金包括小于約20個原子百分比(at.％)的NiW。

13.如權利要求11所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第二晶種層為具有主要成分為NiFe或CoFe的合金。

14.如權利要求13所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第二晶種層還包括W、V和Ta中的至少一種。

15.如權利要求10所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第一晶種層包括鎳-鎢-鉻(NiWCr)合金。

16.如權利要求10所述的垂直磁記錄介質，其中，所述第一晶種層的膜厚度在約1nm至約4nm的范圍內，以及其中所述第二晶種層的膜厚度在約1nm至約4nm的范圍內。

17.如權利要求10所述的垂直磁記錄介質，其中，所述中間層包括釕(Ru)或其合金。

18.一種磁盤驅動系統，包括：

權利要求10所述的垂直磁記錄介質；

至少一個磁頭，所述至少一個磁頭用于寫入所述磁介質；

滑橇，所述滑橇用于支撐所述至少一個磁頭；以及

控制元件，所述控制元件耦合到所述至少一個磁頭，用于控制所述至少一個磁頭的操作。