[發明專利]用于制造具有冷卻裝置的變流器系統的方法和變流器系統有效
| 申請號: | 201010202464.2 | 申請日: | 2010-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN101924043A | 公開(公告)日: | 2010-12-22 |
| 發明(設計)人: | 彼得·貝克達爾;克里斯蒂安·約布爾;烏爾里希·赫爾曼;馬庫斯·克內貝爾 | 申請(專利權)人: | 賽米控電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L25/07;H01L23/34;H02M1/00 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 車文;樊衛民 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 具有 冷卻 裝置 變流器 系統 方法 | ||
1.用于制造變流器系統的方法,所述變流器系統具有帶金屬成型體(100)的冷卻裝置(10)和至少一個襯底(30a/b),所述金屬成型體(100)具有主面(14)的至少一個平坦區段(16、18)和大量冷卻機構(12),在所述至少一個襯底(30a/b)上能夠設置變流器電路(20)的其他部件(50),其特征在于下列主要方法步驟的順序:
·提供壓力燒結裝置的具有用于容納冷卻裝置(10)的凹處(72)的對壓件(70),其中,所述凹處(72)構成為所述冷卻裝置(10)的陰模;
·將所述冷卻裝置(10)設置在所述對壓件(70)內;
·將所述變流器電路(20)的至少一個襯底(30a/b)設置在所述冷卻裝置(10)的所述主面(14)的所分配的所述平坦區段(16、18)上,其中,所述襯底(30)的和所述冷卻裝置(10)的各接觸面(62)分別在所要連接的區域內具有能燒結的表面,并且其中,在所述所要連接的區域之間設置有適當稠度的燒結金屬(60);
·向所述襯底(30a/b)和所述冷卻裝置(10)導入壓力和溫度來構成壓力燒結連接。
2.按權利要求1所述的方法,其中,所述對壓件(70)的形成所述陰模的所述凹處(72)以如下方式構成,即,設置于其內的所述冷卻裝置(10)在壓力作用下關于所述冷卻裝置(10)的所述主面(14)凹著變形。
3.按權利要求2所述的方法,其中,所述冷卻裝置關于所述主面(14)的所述平坦區段(16、18)的所分配的縱向伸展(L)變形不超過2%。
4.按權利要求1所述的方法,其中,在所述襯底(30)與所述冷卻裝置(10)連接之后,在所述襯底(30)上設置有大功率半導體元件(50)和其他連接裝置(40)。
5.按權利要求1所述的方法,其中,在所述襯底(30)與所述冷卻裝置(10)連接之前,在所述襯底(30)上已經至少設置有大功率半導體元件(50)。
6.按權利要求1所述的方法,其中,所述金屬成型體(100)由彈性模量特別小的金屬材料的變體構成。
7.按權利要求6所述的方法,其中,所述金屬材料為純度至少99%的純鋁或者熱處理的銅。
8.變流器系統,所述變流器系統具有冷卻裝置(10)和至少一個變流器電路(20),所述冷卻裝置(10)具有金屬成型體(100),所述金屬成型體(100)具有主面(14)的至少一個平坦區段(16、18)和大量冷卻機構(12),所述至少一個變流器電路(20)具有至少一個帶有大量第一導體帶(34a/b)的襯底(30a/b),其中,至少一個大功率半導體元件(50)設置在至少一個第一導體帶(34a/b)上并借助連接裝置(40)與至少一個另外的大功率半導體元件(50)和/或者至少一個另外的第一導體帶(34a/b)適于電路地連接,
其中,所述冷卻裝置(10)的所述主面(14)的平坦區段(16、18)與所述變流器電路(20)之間材料配合的連接借助壓力燒結連接構成。
9.按權利要求8所述的變流器系統,其中,所述金屬成型體(100)由彈性模量特別小的金屬材料的變體構成。
10.按權利要求9所述的變流器系統,其中,所述金屬材料為純度至少99%的純鋁或者熱處理的銅。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





