[發明專利]四級光掩模及其使用方法以及光掩模坯料

有效

• 申請號: 201010202441.1
• 申請日: 2007-02-16
• 公開（公告）號: CN101866107A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 佐野道明
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08;G03F1/00;G03F7/00;G02F1/1333
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 楊娟奕

1.一種四級光掩模，所述四級光掩模包括遮光部分、光透射部分及分別具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，并在轉印目標上形成厚度階段性地或連續地變化的抗蝕圖案，所述四級光掩模的特征在于，

所述第一光半透射部分通過在透明襯底的表面上設置光半透射性的第一光半透射膜而構成，

所述第二光半透射部分通過在所述透明襯底的表面上設置光半透射性的第二光半透射膜而構成，

所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同，

所述遮光部分通過在所述透明襯底的表面上層疊所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而構成。

2.如權利要求1所述的四級光掩模，其特征在于，

在轉印目標上形成如下抗蝕圖案：與所述遮光部分對應的部分的膜厚最厚，與所述第一光半透射部分對應的部分的膜厚次之，與所述第二光半透射部分對應的部分的膜厚薄，與所述光透射部分對應的部分無膜。

3.如權利要求1或2所述的四級光掩模，其特征在于，

所述第一光半透射部分和所述第二光半透射部分的曝光光的透光率為20～50％。

4.如權利要求1或2所述的四級光掩模，其特征在于，

所述第一光半透射膜和所述遮光膜為對彼此的蝕刻具有抗蝕性的膜。

5.如權利要求4所述的四級光掩模，其特征在于，

所述第二光半透射膜和所述遮光膜由能夠通過同種蝕刻氣體或蝕刻液體蝕刻的材料構成。

6.如權利要求1或2所述的四級光掩模，其特征在于，

所述第一光半透射膜含有硅化鉬，所述第二光半透射膜和所述遮光膜含有鉻作為主要成分。

7.一種四級光掩模的使用方法，所述四級光掩模包括遮光部分、光透射部分及分別具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，所述四級光掩模的使用方法的特征在于，

所述第一光半透射部分通過在透明襯底的表面上設置光半透射性的第一光半透射膜而構成，

所述第二光半透射部分通過在所述透明襯底的表面上設置光半透射性的第二光半透射膜而構成，

所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同，

所述遮光部分使用在所述透明襯底的表面上層疊所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而構成的四級光掩模進行曝光，在轉印目標上形成抗蝕圖案，

在與所述光透射部分對應的部分，在所述轉印目標上實施第一蝕刻，

去除所述抗蝕圖案中的與所述第二光半透射部分對應的部分，在所述轉印目標上實施第二蝕刻，

進而，去除所述抗蝕圖案中的與所述第一光半透射部分對應的部分，在所述轉印目標上實施第三蝕刻。

8.如權利要求7所述的四級光掩模的使用方法，其特征在于，

對轉印目標上的第一膜、第二膜及第三膜實施所述第一蝕刻，

對轉印目標上的第二膜及第三膜進行實施第二蝕刻，

對轉印目標上的第三膜實施所述第三蝕刻。

9.如權利要求7所述的四級光掩模的使用方法，其特征在于，

通過灰化去除所述抗蝕圖案。

10.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，

包括權利要求7～9中任一項所述的使用方法。

11.一種四級光掩模，所述四級光掩模包括遮光部分、光透射部分及分別具有不同透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分，并在轉印目標上形成厚度階段性地或連續地變化的抗蝕圖案，所述四級光掩模的特征在于，

所述第一光半透射部分通過在透明襯底的表面上設置光半透射性的第一光半透射膜而構成，

所述第二光半透射部分通過在所述透明襯底的表面上層疊光半透射性的第一光半透射膜和光半透射性的第二光半透射膜而構成，

所述遮光部分通過在所述透明襯底的表面上層疊所述第一光半透射膜、所述第二光半透射膜及遮光膜而構成。

12.如權利要求11所述的四級光掩模，其特征在于，

在轉印目標上形成如下抗蝕圖案：與所述遮光部分對應的部分的膜厚最厚，與所述第二光半透射部分對應的部分的膜厚次之，與所述第一光半透射部分對應的部分的膜厚薄，與光透射部分對應的部分無膜。