[發明專利]發光裝置

有效

• 申請號: 201010202435.6
• 申請日: 2010-06-07
• 公開（公告）號: CN101908534A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 葉文勇;顏璽軒;陳澤澎
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院;晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光裝置，包含：

基板；

多個粘著層，配置于該基板上；以及

多個微型二極管，配置于該基板上，該多個微型二極管互相電連接以構成橋式整流器電路，并經由該多個粘著層接合至該基板，其中該多個微型二極管包含：

多個微型發光二極管，配置于該橋式整流器電路的中間分支上；以及

多個肖特基二極管，配置于該橋式整流器電路的其他分支上并埋入于該基板中。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中位于該橋式整流器電路的該中間分支上的該多個微型發光二極管被雙向驅動。

3.如權利要求1所述的發光裝置，其中該多個微型二極管互相電連接以構成串聯連接的兩個以上的該橋式整流器電路。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其中該多個微型二極管互相電連接以構成并聯連接的兩個以上的該橋式整流器電路。

5.如權利要求1所述的發光裝置，其中該橋式整流器電路還合并有至少一整流器分支。

6.如權利要求1所述的發光裝置，其中該多個粘著層被使用作為該多個微型二極管的多個下電極，并將該多個微型二極管接合至該基板。

7.如權利要求1所述的發光裝置，還包含多個導電連接層，其形成于該多個微型發光二極管上，并電連接在該多個微型發光二極管的多個電極之間。

8.如權利要求7所述的發光裝置，其中該多個導電連接層通過金屬蒸鍍、擴散或離子注入法而形成于該多個微型發光二極管上。

9.如權利要求1所述的發光裝置，其中該多個微型二極管為水平式二極管，其具有位于其相同側的電極。

10.如權利要求1所述的發光裝置，還包含電子元件，其配置于該基板上或埋入于該基板中，并電連接至該多個微型二極管。

11.如權利要求10所述的發光裝置，其中該電子元件包含電容器、轉換器、變壓器、突波吸收器、高電子遷移率晶體管或靜電放電保護電路。

12.如權利要求1所述的發光裝置，其中該多個微型二極管為垂直式二極管，其具有位于其相反側的電極。

13.如權利要求1所述的發光裝置，其中該基板為硅基板或碳化硅基板。

14.如權利要求1所述的發光裝置，其中該基板為導電基板，且該多個粘著層包含多個絕緣接合層。

15.如權利要求14所述的發光裝置，其中該絕緣接合層的材料為選自于包含聚酰亞胺、環苯丁烷和過氯環丁烷的有機粘著劑。

16.如權利要求1所述的發光裝置，其中該多個粘著層的材料為選自于包含聚酰亞胺、環苯丁烷和過氯環丁烷的有機粘著劑。

17.如權利要求1所述的發光裝置，其中每個微型發光二極管包含兩個半導體層及在該兩個半導體層之間的有源層，而該多個半導體層的材料選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGAInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN和ZnSe。

18.如權利要求17所述的發光裝置，其中該有源層的厚度小于300mn。

19.如權利要求17所述的發光裝置，其中當該半導體層的該材料為GaN????時，該發光裝置的厚度少于4um。

20.如權利要求1所述的發光裝置，其中該發光裝置為惠斯通電橋式交流電發光二極管。