[發明專利]用于鎖相環中極低電壓工作下降低電流失配的電荷泵電路

無效

• 申請號: 201010202381.3
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN101888178A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 梁筱;韓雁;楊偉偉;程維維
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種用于鎖相環中極低電壓工作下降低電流失配的電荷泵電路，包括：電流鏡、上拉電路、下拉電路和運算放大器，其特征在于：

所述的電流鏡由第一PMOS器件、第二PMOS器件和第一NMOS器件組成；其中，第一PMOS器件的漏極與第一PMOS器件的柵極相連，再與第二PMOS器件的柵極相連；第一PMOS器件的源極與第二PMOS器件的源極均與電源電壓相連；第二PMOS器件的漏極與第一NMOS器件的漏極相連，第一NMOS器件的柵極與第二PMOS器件的漏極相連，第一NMOS器件的源極與地相連；

所述的上拉電路，包括：用作上拉電流源的第三PMOS器件、用作上拉受控晶體管的第四PMOS器件、以及由第一開關和第二開關組成的充電控制開關；其中，第三PMOS器件的柵極與所述的運算放大器的輸出端、第一開關的一端相連，第三PMOS器件的源極與電源電壓相連，第三PMOS器件的漏極與所述的運算放大器的負輸入端相連；第四PMOS器件的源極和第二開關的一端均與所述的電源電壓相連，第四PMOS器件的柵極與第一開關的另一端、第二開關的另一端相連，第四PMOS器件的漏極與電荷泵輸出節點相連；第一開關由充電信號UP控制，第二開關由充電信號的互補信號控制；

所述的下拉電路，包括：用作下拉電流源的第二NMOS器件、用作下拉受控晶體管的第三NMOS器件、以及由第三開關和第四開關組成的放電控制開關；其中，第二NMOS器件的柵極與所述的電流鏡的第一NMOS管的柵極以及第三開關的一端相連，第二NMOS器件的源極與地相連，第二NMOS器件的漏極與所述的運算放大器的負輸入端以及所述的上拉電路的第三PMOS器件的漏端相連；第三NMOS器件的源極、第四開關的一端均與地相連，第三NMOS器件的柵極與第三開關的另一端、第四開關的另一端相連，第三NMOS器件的漏極與電荷泵輸出節點相連；第三開關由放電信號DN控制，第四開關由放電信號的互補信號控制；

所述的運算放大器，具有正輸入端、負輸入端和一個輸出端；其中，所述的運算放大器的負輸入端與所述的上拉電路和下拉電路的節點處連接在一起，所述的運算放大器的正輸入端與電荷泵輸出節點相連，所述的運算放大器的輸出端與第三PMOS器件的柵極、第一開關的一端相連。

2.如權利要求1所述的電荷泵電路。其特征在于：所述的第一PMOS器件、第二PMOS器件、第三PMOS器件、第四PMOS器件、第一NMOS器件、第二NMOS器件和第三NMOS器件均為具有源極、漏極、柵極及體端的四端口結構；其中，第一PMOS器件、第二PMOS器件、第三PMOS器件和第四PMOS器件的體端均接電源電壓，第一NMOS器件、第二NMOS器件和第三NMOS器件的體端均接地。

3.如權利要求1所述的電荷泵電路。其特征在于：所述的第一PMOS器件、第二PMOS器件、第三PMOS器件、第四PMOS器件、第一NMOS器件、第二NMOS器件和第三NMOS器件均為金屬氧化物半導體MOS晶體管。