[發(fā)明專利]一種玻璃襯底絨面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜及應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010202111.2
• 申請(qǐng)日: 2010-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN101882632A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳新亮;趙穎;李林娜;倪牮;張曉丹;張建軍;耿新華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南開大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/04
• 代理公司: 天津佳盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種玻璃襯底絨面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜，其特征在于：利用磁控濺射技術(shù)制備，以玻璃為襯底，襯底溫度為(200～280)℃，以Zn-Al合金靶和O₂為原材料，其中Zn組分純度為99.99％，摻雜劑Al組分的重量百分比含量為(0.5～3.0)％，背景真空度為8×10^-5Pa，濺射氣壓為(2.5～7.5)mTorr，其中氧氣流量為2～30sccm，在玻璃襯底上直接生長(zhǎng)絨面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜，薄膜厚度(900～1500)nm，薄膜結(jié)構(gòu)為glass/絨面ZnO薄膜。

2.一種如權(quán)利要求1所述玻璃襯底絨面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜的制備，其特征在于：采用磁控濺射鍍膜裝置，該裝置為密封結(jié)構(gòu)，由濺射室和樣片室構(gòu)成，濺射室和樣片室之間設(shè)有閘板閥控制其通斷；濺射室內(nèi)裝置有加熱器、襯底、等離子體檢測(cè)源、一個(gè)離子源和兩個(gè)磁控濺射源，等離子體檢測(cè)源與容器外的等離子體發(fā)射譜控制器(PEM)連接，一個(gè)離子源和兩個(gè)磁控濺射源分別與容器外的三個(gè)電源連接，濺射室設(shè)有兩個(gè)抽真空口；樣片室內(nèi)設(shè)有放置樣片的層式樣片架，樣片架通過升降裝置進(jìn)行切換，樣片架上的樣片通過推拉桿送入濺射室中的襯底上，樣片室設(shè)有一個(gè)抽真空口。

3.一種如權(quán)利要求1所述玻璃襯底絨面結(jié)構(gòu)ZnO薄膜德應(yīng)用，其特征在于：應(yīng)用于pin型a-Si薄膜太陽(yáng)電池或a-Si/uc-Si疊層薄膜太陽(yáng)電池。