[發明專利]一種提高電子束曝光效率的方法無效
| 申請號： | 201010201513.0 | 申請日： | 2010-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN101872134A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發明（設計）人： | 王秀平;楊曉紅;韓勤;王杰;劉少卿 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 電子束 曝光 效率 方法 | ||
1.一種提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，該方法利用電子束曝光中的鄰近效應，在曝光的版圖設計時利用平行間隔線條曝光圖形取代大面積曝光圖形，使實際曝光圖形只占大面積曝光圖形的一半。
2.根據權利要求1所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，該方法具體包括：
步驟1：在晶片上涂敷電子束光刻膠；
步驟2：將涂敷電子束光刻膠的晶片放在熱板上進行前烘；
步驟3：利用版圖設計工具更改原有圖形的版圖設計，使用平行間隔線條曝光圖形取代大面積曝光圖形；
步驟4：對晶片進行電子束曝光。
3.根據權利要求2所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，步驟1中所述晶片采用砷化鎵。
4.根據權利要求2所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，步驟1中所述在晶片上涂敷電子束光刻膠，采用的電子束光刻膠是PMMAA2，甩膠條件為2000rpm，甩膠時間為60秒。
5.根據權利要求2所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，步驟2中所述前烘的溫度為180℃，時間為1小時。
6.根據權利要求2所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，步驟3中所述版圖設計工具是GDSII或L-Edit。
7.根據權利要求2所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，步驟3中所述平行間隔線條曝光圖形中的寬度和間隔與電子束曝光的精度有關。
8.根據權利要求2所述的提高電子束曝光效率的方法，其特征在于，步驟4中所述對晶片進行電子束曝光，使用加速電壓為10kV，束閘大小為30μm，曝光劑量使用與原有大面積圖形設計相同。
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