[發(fā)明專利]有機光電半導體元件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010201356.3
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102270740A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 溫添進;郭宗枋;許渭州;謝松年;李宬諺
• 申請（專利權）人: 成功大學
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種有機光電半導體元件，其特征在于：該有機光電半導體元件是一常規(guī)式有機光電半導體元件，其包含：

一導電基板，具有一導電層；

一電洞傳輸層，形成在所述導電基板的導電層上；

一有機主動層，形成在所述電洞傳輸層上；

一電子傳輸層，形成在所述有機主動層上，且所述電子傳輸層包含至少一種硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類；及

一金屬電極層，形成在所述電子傳輸層上。

2.一種有機光電半導體元件，其特征在于：該有機光電半導體元件是一反轉(zhuǎn)式有機光電半導體元件，其包含：

一導電基板，具有一導電層；

一電子傳輸層，形成在所述導電基板的導電層上，且所述電子傳輸層包含至少一種硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類；

一有機主動層，形成在所述電子傳輸層上；

一電洞傳輸層，形成在所述有機主動層上；及

一金屬電極層，形成在所述電洞傳輸層上。

3.如權利要求1或2所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類選自硼氫化鈉、硼氫化鉀、硼氫化鋰、硼氫化銫、硼氫化鎂、硼氫化鈣、硼氫化鈹、硼氫化鍶、硼氫化鋇或其混合。

4.如權利要求1或2所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述電子傳輸層另混摻包含至少一種不與硼氫根反應的高分子基材。

5.如權利要求4所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述高分子基材選自聚氧化乙烯、聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。

6.如權利要求1或2所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述有機光電半導體元件是選自有機發(fā)光二極管、高分子發(fā)光二極管、高分子太陽能電池、有機薄膜晶體管或蕭特基能障二極管。

7.如權利要求6所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述有機光電半導體元件為有機發(fā)光二極管或高分子發(fā)光二極管，其中所述電子傳輸層為一電子注入層，所述有機主動層為一有機發(fā)光層，及所述電洞傳輸層為一電洞注入層。

8.如權利要求7所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類選自硼氫化鈉。

9.如權利要求8所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述電子傳輸層的硼氫化鈉在與所述有機主動層之間的奈米界面形成一層復合材料層，并釋出鈉離子或金屬鈉。

10.如權利要求6所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述有機光電半導體元件為高分子太陽能電池，其中所述電子傳輸層為一電子收集層，所述有機主動層為一有機吸光層，及所述電洞傳輸層為一電洞收集層。

11.如權利要求10所述的有機光電半導體元件，其特征在于：所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類選自硼氫化鉀。

12.一種有機光電半導體元件的制造方法，其用以制造如權利要求1所述的常規(guī)式有機光電半導體元件，其特征在于：所述制造方法選自一濕式制造過程或一干式制造過程；

其中所述濕式制造過程包含：

利用至少一種極性有機溶劑調(diào)配所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類的溶液；及

利用所述溶液進行濕式制造過程而形成所述電子傳輸層的薄膜于所述有機主動層上；

其中所述干式制造過程包含：

利用所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類進行干式制造過程而形成所述電子傳輸層的薄膜于所述有機主動層上。

13.一種有機光電半導體元件的制造方法，其用以制造如權利要求2所述的反轉(zhuǎn)式有機光電半導體元件，其特征在于：所述制造方法選自一濕式制造過程或一干式制造過程；

其中所述濕式制造過程包含：

利用至少一種極性有機溶劑調(diào)配所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類的溶液；及

利用所述溶液進行濕式制造過程而形成所述電子傳輸層的薄膜于所述導電基板的導電層上；

其中所述干式制造過程包含：

利用所述硼氫根的堿金屬或堿土金屬離子型鹽類進行干式制造過程而形成所述電子傳輸層的薄膜于所述導電基板的導電層上。

14.如權利要求12或13所述的有機光電半導體元件的制造方法，其特征在于：所述濕式制造過程為旋轉(zhuǎn)涂布法或噴印涂布法。

15.如權利要求12或13所述的有機光電半導體元件的制造方法，其特征在于：所述干式制造過程為氣相蒸鍍法或離子束沉積法。