[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010201344.0
• 申請(qǐng)日: 2010-06-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101857461A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王雪深;李群慶;范守善
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): C04B41/50
• 分類號(hào): C04B41/50;C03C17/22
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底；

在所述基底的一表面形成一催化劑前驅(qū)體，所述催化劑前驅(qū)體含有動(dòng)物血液；

將所述形成有催化劑前驅(qū)體的基底置于反應(yīng)爐內(nèi)，加熱所述基底至第一溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以去除催化劑前驅(qū)體中的有機(jī)物并使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素氧化；

在保護(hù)氣體下，向反應(yīng)爐內(nèi)通入還原氣體，對(duì)所述形成有催化劑前驅(qū)體的基底加熱至第二溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以使催化劑前驅(qū)體中的鐵元素還原；

向反應(yīng)爐中通入載氣氣體與碳源氣體的混合氣，在所述基底形成有催化劑前驅(qū)體的表面生長(zhǎng)半導(dǎo)體碳納米管陣列。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，形成催化劑前驅(qū)體之前，進(jìn)一步包括一將該動(dòng)物血液進(jìn)行稀釋的步驟。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，將動(dòng)物血液進(jìn)行稀釋所用的溶劑為生理鹽水、蒸餾水、去離子水中的一種或幾種的混合物。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，對(duì)所述動(dòng)物血液進(jìn)行稀釋時(shí)溶劑與動(dòng)物血液的體積比為1∶0.1～1∶10。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該催化劑前驅(qū)體采用旋涂法形成于基底之上。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述旋涂法的旋涂轉(zhuǎn)速為4000～5000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間為30秒～2分鐘。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述第一溫度為400～800攝氏度，其保持時(shí)間為5～30分鐘。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該保護(hù)氣體為氮?dú)?、氬氣或其它惰性氣體中的一種或幾種。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該第二溫度為800～1100攝氏度，其保持時(shí)間為10～30分鐘。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該載氣為氫氣、氮?dú)狻鍤饣蚱渌栊詺怏w中的一種或幾種。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該碳源氣體為甲烷、乙烷、乙炔及乙烯的一種或幾種的混合物。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，該碳納米管陣列中半導(dǎo)體單壁碳納米管的比例為80％～97％。