[發明專利]側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201010200851.2
• 申請日: 2010-06-07
• 公開（公告）號: CN101872823A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 彭康偉;林素慧;劉傳桂;林科闖
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/40
• 代理公司: 廈門原創專利事務所 35101
• 代理人: 徐東峰

1.側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管，包括一藍寶石基板，在藍寶石基板上依次層疊生長N-GaN層、多量子阱層和P-GaN層，在P-GaN層上形成透明導電層，在透明導電層上形成一P電極，在N-GaN層的暴露面上形成一N電極；分布布拉格反射鏡，形成于藍寶石基板、N-GaN層、多量子阱層和P-GaN層的側壁。

2.側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管的制備方法，其工藝步驟如下：

1)在藍寶石基板上依次生長N-GaN層、多量子阱層和P-GaN層；

2)在P-GaN層上形成透明導電層；

3)通過光罩、蝕刻，將透明導電層所在的部分臺面蝕刻至暴露出N-GaN層；

4)在透明導電層上形成P電極；

5)在暴露的N-GaN層上形成N電極；

6)在藍寶石基板、N-GaN層、多量子阱層和P-GaN層的側壁上形成分布布拉格反射鏡；

7)將藍寶石基板減薄、拋光并切割成獨立的發光二極管芯粒。

3.如權利要求2所述的側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：透明導電層選自ITO、ZnO、In摻雜ZnO、Al摻雜ZnO、Ga摻雜ZnO或前述的任意組合之一。

4.如權利要求2所述的側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射鏡由交替的高折射率和低折射率材料層組成。

5.如權利要求2或4所述的側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射鏡的高折射率層材料選自TiO、TiO₂、Ti₃O₅、Ti₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂或前述的任意組合之一。

6.如權利要求2或4所述的側壁具有分布布拉格反射鏡的氮化鎵基發光二極管的制備方法，其特征在于：分布布拉格反射鏡的低折射率層材料選自SiO₂、SiN_X、Al₂O₃或前述的任意組合之一。