[發(fā)明專利]發(fā)聲裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010200768.5 | 申請日： | 2010-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN101873520A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李文珍;陳皇妙 | 申請（專利權(quán)）人： | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H04R1/02 | 分類號： | H04R1/02;C22C23/00;C22C49/04;C22C49/14;C22C101/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)聲 裝置 | ||
1.一種發(fā)聲裝置，其包括：
殼體；以及
揚聲器，該揚聲器設(shè)置于該殼體內(nèi)部；
其特征在于：該殼體的材料為鎂基復(fù)合材料，該鎂基復(fù)合材料包括鎂基金屬和分散在該鎂基金屬中的納米增強(qiáng)相，該鎂基復(fù)合材料的晶粒尺寸為100微米至150微米。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述發(fā)聲裝置比相同形狀的采用所述鎂基金屬制成的殼體的發(fā)聲裝置，在20赫茲至50赫茲頻率范圍內(nèi)總諧波失真減少10％。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述鎂基復(fù)合材料的晶粒尺寸比所述鎂基金屬的晶粒尺寸減小60％至75％。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述納米增強(qiáng)相在鎂基復(fù)合材料中的質(zhì)量百分含量為0.01％至10％。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述納米增強(qiáng)相在鎂基復(fù)合材料中的質(zhì)量百分含量為0.5％至2％。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述納米增強(qiáng)相在鎂基復(fù)合材料中的質(zhì)量百分含量為1.5％。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述納米增強(qiáng)相的尺寸為30納米至50納米。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述納米增強(qiáng)相為碳納米管、碳化硅納米顆粒、氧化鋁納米顆粒、碳化鈦納米顆粒、碳化硼納米顆粒、石墨納米顆粒中的一種或多種的混合。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述鎂基金屬為鎂或鎂合金。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述鎂合金的型號為AZ91、AM60、AS41、AS21或AE42。
11.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述鎂基金屬為型號為AZ91D的鎂合金，所述納米增強(qiáng)相為碳納米管，所述碳納米管在鎂基復(fù)合材料中的質(zhì)量百分含量為1.5％。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)聲裝置，其特征在于，所述殼體的壁厚為0.01毫米至2毫米。
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