[發明專利]納米壓印方法

無效

• 申請號: 201010200766.6
• 申請日: 2010-06-14
• 公開（公告）號: CN102279517A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 朱振東;李群慶;張立輝;陳墨;金元浩
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米壓印方法，其包括以下步驟：

步驟a，提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板，所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層；

步驟b，通過壓印抗蝕劑HSQ貼合所述基底和模板，貼合時所述壓印抗蝕劑HSQ直接接觸所述模板的具有納米圖形的表面，并將壓印抗蝕劑HSQ夾持于該基底的抗蝕層與所述模板的所述表面之間，以形成第二抗蝕層；

步驟c，在室溫下、通過在該基底和模板施加壓力，將模板表面的納米圖形復制到所述第二抗蝕層，在所述第二抗蝕層形成納米圖形；以及

步驟d，將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底，在所述基底表面形成納米圖形。

2.如權利要求1所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟a進一步包括在所述基底的第一抗蝕層的遠離所述基底的表面進一步沉積二氧化硅，以形成一過渡層的步驟。

3.如權利要求2所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟b中首先所述壓印抗蝕劑HSQ涂布于基底上，以形成所述第二抗蝕層，其次將所述模板的具有納米圖形的表面貼合至基底的第二抗蝕層。

4.如權利要求3所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟c的具體操作步驟包括：

將基底以及模板放置于一壓印機中，設置壓印機的真空度為1×10^-1mbar～1×10^-5mbar；

施加壓力為2磅/平方英尺～100磅/平方英尺(Psi)的壓印條件下，保持2～30分鐘，把模板的凸部壓到基底上的第二抗蝕層中，使第二抗蝕層的壓印抗蝕劑HSQ充滿模板的納米圖形中的凹槽；以及

將模板與基底分離，從而將該模板表面的納米圖形復制到所述壓印抗蝕層。

5.如權利要求3所述的納米壓印的方法，其特征在于，將上述壓印抗蝕劑HSQ采用旋涂的方式涂布于所述過渡層，旋涂轉速為2500轉/分鐘～7000轉/分鐘，旋涂時間為0.5分鐘～2分鐘，該壓印抗蝕劑HSQ的旋涂在高壓下進行。

6.如權利要求2所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟b中首先所述壓印抗蝕劑HSQ涂布于所述模板具有納米圖形的表面，以形成所述第二抗蝕層，其次將基底覆蓋于模板。

7.如權利要求6所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟c的具體操作步驟包括：將所述壓印抗蝕劑HSQ滴在所述模板形成有納米圖形的表面，于密閉的環境下靜置1～2個小時。

8.如權利要求7所述的納米壓印的方法，其特征在于，將上述壓印抗蝕劑HSQ采用液滴涂布方法，緩慢滴在所述模板具有納米圖形的表面。

9.如權利要求4或7所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟d的具體操作步驟為：

一并刻蝕殘留在所述第二抗蝕層的凹槽底部的壓印抗蝕劑HSQ及所述過渡層，露出凹槽底部的第一抗蝕層；

刻蝕凹槽底部的第一抗蝕層，露出基底；以及

刻蝕凹槽底部的基底，并用有機溶劑去除殘留的有機材料，從而獲得一具有納米圖形的基底。

10.如權利要求9所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述步驟d中采用氧等離子體去除第二凹槽底部的第一抗蝕層，從而露出基底同時固化第二抗蝕層，氧等離子體系統的功率是10瓦～150瓦，氧等離子體的通入速率為2～100sccm，形成的氣壓為0.5帕～15帕，采用氧等離子體刻蝕時間為5秒～1分鐘。

11.一種納米壓印方法，其包括以下步驟：

步驟a，提供一基底，在所述基底的一個表面依次形成一有機第一抗蝕層、一過渡層及一由壓印抗蝕劑HSQ構成的第二抗蝕層；

步驟b，提供一個表面具有納米圖形的模板，并將該模板表面的納米圖形，在室溫下復制到所述第二抗蝕層；

步驟c，將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底，在所述基底表面形成納米圖形。

12.一種納米壓印方法，其包括以下步驟：

步驟a，提供一基底和一個表面具有納米圖形的模板，所述基底的一表面形成有有機第一抗蝕層；

步驟b，提供一表面具有納米圖形的模板，在該模板具有納米圖形的表面形成壓印抗蝕劑HSQ，以形成一第二抗蝕層；

步驟c，將基底覆蓋于模板，使所述基底的過渡層與所述模板的覆蓋有壓印抗蝕劑HSQ的表面接觸，常溫下壓所述模板及基底，并脫模；以及

步驟d，將所述第二抗蝕層上的納米圖形轉移至基底，在所述基底表面形成納米圖形。