[發(fā)明專利]慣性微機(jī)電傳感器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010200713.4
• 申請日: 2010-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN102275860A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛劍宏;韓鳳芹;唐德明
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇麗恒電子有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81C1/00;G01P15/125;G01D5/12;G01C19/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種慣性微機(jī)電傳感器，包括能夠相對(duì)移動(dòng)的主體和質(zhì)量塊，

所述主體包括具有第一表面的第一主體和垂直并連接所述第一表面的第二主體，所述第一主體內(nèi)具有平行于所述第一表面的第一電極，所述第二主體內(nèi)具有垂直于所述第一表面的第二電極，

其特征在于，所述質(zhì)量塊懸置在所述第二主體和第一主體形成的空間內(nèi)，所述質(zhì)量塊包括平行且相對(duì)于所述第一表面的第三電極、垂直于所述第一表面的第四電極和質(zhì)量層，所述第三電極和第四電極相連并構(gòu)成U型凹槽，所述質(zhì)量層填充于所述U型凹槽內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述第一主體還包括位于所述第一電極下方的半導(dǎo)體材料層，所述半導(dǎo)體材料層內(nèi)具有MOS器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述第一電極的材料為：鋁、鈦、銅、鈷、鎳、鉭、鉑、銀和金的其中一種或其任意組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述第二主體的材料為：氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅和碳氮氧化硅的其中一種或其任意組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述第二電極的材料為：鋁、鈦、銅、鎢和鉭的其中一種或其任意組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述第三電極和第四電極的材料為：鋁、鈦、銅、鈷、鎳、鉭、鉑、銀和金的其中一種或其任意組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器，其特征在于，所述質(zhì)量層的材料為：鎢、鍺硅、鍺、鋁、氧化物和氮化硅的其中一種或其任意組合。

8.一種權(quán)利要求1所述的慣性微機(jī)電傳感器的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供主體，所述主體包括相互垂直連接的第一主體和第二主體，第一主體具有第一表面，所述第一主體內(nèi)具有平行于所述第一表面的第一電極，所述第二主體內(nèi)具有垂直于第一表面的第二電極；

在所述第一主體上形成犧牲層；

在所述犧牲層上形成絕緣層，所述絕緣層和所述犧牲層構(gòu)成U型凹槽；

淀積形成覆蓋所述犧牲層和絕緣層的導(dǎo)電層；

在所述犧牲層上的導(dǎo)電層上形成質(zhì)量層，所述質(zhì)量層的頂部和所述絕緣層頂部的導(dǎo)電層齊平；

去除所述絕緣層頂部的導(dǎo)電層和部分質(zhì)量層，所述質(zhì)量層的頂部和所述絕緣層頂部的導(dǎo)電層齊平；

去除所述絕緣層；

去除所述犧牲層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的慣性微機(jī)電傳感器的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為純度大于50％的碳。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的慣性微機(jī)電傳感器的制造方法，其特征在于，所述形成犧牲層是利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝，且溫度為350℃～450℃。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的慣性微機(jī)電傳感器的制造方法，其特征在于，所述去除犧牲層的方法為：利用氧氣或者氮?dú)獾牡入x子體進(jìn)行灰化。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的慣性微機(jī)電傳感器的制造方法，其特征在于，所述淀積形成覆蓋所述犧牲層和絕緣層的導(dǎo)電層的方法包括化學(xué)氣相淀積和物理氣相淀積。