[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體器件封裝及制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010200560.3 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101930957A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魯軍;弗蘭克斯·赫爾伯特;劉凱;張曉天 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/48 | 分類號(hào): | H01L23/48;H01L25/00;H01L23/52;H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 美國(guó)加利福尼亞*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 半導(dǎo)體器件 封裝 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體器件的封裝,更確切地說,是一種帶有以連接結(jié)構(gòu)為特點(diǎn)的導(dǎo)電裝置的功率半導(dǎo)體器件的封裝。
背景技術(shù)
通過封裝材料和工藝具有改良的熱擴(kuò)散結(jié)構(gòu)和機(jī)制以及更低的熱阻、很低的寄生電容和電感,功率半導(dǎo)體器件封裝方面的改進(jìn)有利于更高功率密度的封裝。用于增強(qiáng)功率半導(dǎo)體器件封裝性能的技術(shù)包括:暴露功率半導(dǎo)體晶粒的頂面和底面,以便增大熱擴(kuò)散;除去引線接合,以便降低寄生效應(yīng);以及降低封裝波形因數(shù)和結(jié)構(gòu),以便獲得芯片級(jí)尺寸封裝。制作過程的簡(jiǎn)化有助于降低封裝方法的成本。
用于改善功率半導(dǎo)體器件封裝的整體性能的原有技術(shù)包括:美國(guó)專利號(hào)為3,972,062的名為《用于多個(gè)晶體管集成電路晶片的裝配組件》的專利中提出的一種裝配組件。如圖1所示,在裝配組件的空穴22中,每個(gè)裝配組件30都含有一個(gè)晶體管晶片10,裝貼在第一電極18上。這種組裝包括支撐墊或支腳32、34的裝配。如上所述,晶體管芯片10的終端16、14,從表面上延伸到裝配溝道部分平放的支腳32、34所在的平面中。裝配組件的支腳32、34不僅提供支撐,還為晶片的晶體管集電極提供連接。另外,疊加的溝道部分可保護(hù)晶體管晶片,更確切地說,它可作為散熱片使用。
以下專利還提出了許多其他的類似設(shè)計(jì):美國(guó)專利號(hào)6,624,522、7,122,887、6,767,820、6,890,845、7,253,090、7,285,866、6,930,397以及6,893,901,美國(guó)已公開專利申請(qǐng)2007/0091546、2007/0194441、2007/0202631、2008/0066303和2007/0284722,以及美國(guó)外觀設(shè)計(jì)專利號(hào)D503,691。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所述的功率半導(dǎo)體器件包括一個(gè)以連接結(jié)構(gòu)為特征的導(dǎo)電裝置。例如,此連接結(jié)構(gòu)為半導(dǎo)體器件終端盒外部貼裝表面(例如印刷電路板(PCB))之間提供連接。更確切地說,此連接結(jié)構(gòu)可以提供從半導(dǎo)體晶粒的第二表面到印刷電路板(PCB)的連接,其中第二表面背對(duì)著印刷電路板(PCB)。當(dāng)半導(dǎo)體晶粒的第一表面正對(duì)著印刷電路板(PCB)時(shí),可以直接從第一表面上的半導(dǎo)體器件終端,連接到印刷電路板(PCB)上。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)單一半導(dǎo)體晶粒,通過一個(gè)形成在此半導(dǎo)體晶粒中的開口,設(shè)置連接結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一對(duì)平行耦合的半導(dǎo)體晶粒,在這對(duì)半導(dǎo)體晶粒之間,設(shè)置連接結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)含有連接結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體晶粒的導(dǎo)電裝置,其中在半導(dǎo)體晶粒中形成一個(gè)開口,這個(gè)開口的尺寸和結(jié)構(gòu)足夠容納連接結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)含有連接結(jié)構(gòu)以及一對(duì)半導(dǎo)體晶粒的導(dǎo)電裝置,這一對(duì)半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在連接裝置的兩側(cè),并間隔一定的距離。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)具有連接結(jié)構(gòu)的平板部分以及一個(gè)電耦合到平板部分上的半導(dǎo)體晶粒,其中在半導(dǎo)體晶粒中形成一個(gè)開口,這個(gè)開口的尺寸和結(jié)構(gòu)足夠容納連接結(jié)構(gòu)。
依據(jù)本發(fā)明的另一方面,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)導(dǎo)電裝置,這個(gè)導(dǎo)電裝置包括一個(gè)具有連接結(jié)構(gòu)的平板部分以及一對(duì)電耦合到平板部分上的半導(dǎo)體晶粒,這一對(duì)半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在連接結(jié)構(gòu)的兩側(cè),并間隔一定的距離。這個(gè)連接結(jié)構(gòu)可以延伸至與導(dǎo)電裝置的平板結(jié)構(gòu)相對(duì)的半導(dǎo)體晶粒的一面(以及面上的任何接點(diǎn))近似共面的位置。
依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括,一個(gè)帶有相反對(duì)面和接點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片,第一套接點(diǎn)設(shè)置在所述相反對(duì)面的一個(gè)面上,第二套接點(diǎn)設(shè)置在所述相反對(duì)面的另一面上;以及
一個(gè)與所述的第一套接點(diǎn)保持機(jī)械接觸的導(dǎo)電裝置,所述的導(dǎo)電裝置帶有一個(gè)導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu),朝所述的另一面延伸,遠(yuǎn)離所述的第一套接點(diǎn),終止在所述的第二套接點(diǎn)附近;
其中所述的半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)在所述的相反對(duì)面之間延伸的開口,并且所述的導(dǎo)電裝置穿過所述的開口。
依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例,一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括,帶有相反對(duì)面和多個(gè)接點(diǎn)的多個(gè)間隔的半導(dǎo)體晶片,第一套接點(diǎn)設(shè)置在所述的相反對(duì)面的一個(gè)面上,第二套接點(diǎn)設(shè)置在所述的相反對(duì)面的另一面上;以及
一個(gè)與所述的第一套接點(diǎn)保持機(jī)械接觸的導(dǎo)電裝置,帶有一個(gè)設(shè)置在所述的多個(gè)間隔的半導(dǎo)體晶片之間的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu),沿遠(yuǎn)離所述的第一套接點(diǎn)的第一方向朝所述的另一面延伸并終止在所述的第二套接點(diǎn)附近。
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