[發明專利]一種改善超高分子量聚乙烯耐磨性能的方法無效
| 申請號: | 201010199827.1 | 申請日: | 2010-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN101831627A | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發明(設計)人: | 謝東;冷永祥;黃楠;孫鴻 | 申請(專利權)人: | 西南交通大學 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/513;C23C16/02;C23C28/00 |
| 代理公司: | 成都博通專利事務所 51208 | 代理人: | 陳樹明 |
| 地址: | 610031 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 超高 分子量 聚乙烯 耐磨 性能 方法 | ||
1.一種改善超高分子量聚乙烯耐磨性能的方法,其步驟是:
A、活化處理??采用氧或氬的等離子對超高分子量聚乙烯進行低溫等離子活化處理,處理時的等離子密度為5~80×109·cm-3,處理時間為5~30min;
B、金屬化處理??在活化處理后的超高分子量聚乙烯表面,沉積一層金屬鈦或鉭的過渡層或者硅半導體的過渡層,所述的過渡層的厚度為10~100納米;
C、沉積類金剛石薄膜??采用微波電子回旋共振等離子化學氣相沉積方法,在過渡層表面沉積類金剛石薄膜。
2.根據權利1要求所述的一種改善超高分子量聚乙烯耐磨性能的方法,其特征在于:所述C步采用微波電子回旋共振等離子化學氣相沉積方法,在過渡層表面沉積類金剛石薄膜的具體作法是:將金屬化處理后的類金剛石薄膜置于微波電子回旋共振等離子化學氣相沉積裝置的樣品臺上,向真空室內通入含碳氣體與輔助氣體,二者的氣體流量體積比為1∶2~8,真空室壓強為0.2Pa~2.5Pa;微波功率為400~800W;樣品臺與真空室壁間的脈沖偏壓的幅值為-50~-500V、頻率為15~60KHz,占空比為10%~50%;沉積時間為30~80min;含碳氣體是烴類氣體或一氧化碳、二氧化碳,輔助氣體是氬氣或氫氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





