[發明專利]可變光衰減器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201010199618.7
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN101881881A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 吳文剛;陳慶華;杜博超;張海霞;郝一龍
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08;B81C1/00
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種可變光衰減器件，其特征在于，該器件包括：硅基座以及與所述硅基座鍵合的玻璃基座，所述硅基座設置有垂直光反射面、以及以所述光反射面為一側面的加熱空腔，所述加熱空腔與所述玻璃基座的部分上表面圍成密封腔體，在所述密封腔體內的玻璃基座的上表面上設置有加熱部件。

2.如權利要求1所述的可變光衰減器件，其特征在于，所述加熱部件由金屬或合金材料構成。

3.如權利要求2所述的可變光衰減器件，其特征在于，所述加熱部件呈多重折疊走向。

4.一種權利要求1-3任一項所述的可變光衰減器件的制備方法，其特征在于，該方法包括步驟：

S1.選取設定厚度的雙拋N型硅片作為硅基座；

S2.在所述硅基座上形成氧化硅掩膜，并通過濕法腐蝕，獲得垂直的光反射面；

S3.通過雙面對準，在所述硅基座底面形成氧化硅掩膜，干法刻蝕，獲得加熱腔體；

S4.選取設定厚度的硼硅玻璃作為玻璃基座；

S5.在所述玻璃基座上淀積金屬或合金，掩膜后刻蝕或腐蝕出設定形狀的加熱部件；

S6.將所述硅基座加熱空腔和玻璃基座的加熱部件對準，通過硅-玻璃陽極鍵合，完成可變光衰減器件的制備。

5.如權利要求4所述的可變光衰減器件的制備方法，其特征在于，所述硅片及所述硼硅玻璃的設定厚度均為400±10微米。

6.如權利要求4所述的可變光衰減器件的制備方法，其特征在于，所述光反射面晶向為{1，1，1}。

7.如權利要求4所述的可變光衰減器件的制備方法，其特征在于，在步驟S2中，使用KOH溶液進行濕法腐蝕。