[發明專利]多芯片封裝結構以及形成多芯片封裝結構的方法

無效

• 申請號: 201010199279.2
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN101930971A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 謝東憲
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 葛強;張一軍

1.一種多芯片封裝結構，包含：

芯片載體；

半導體裸芯片，設置在該芯片載體的裸芯片依附面上，其中，多個輸入/輸出焊盤位于該半導體裸芯片之內或者之上；

重布線層壓結構，位于該半導體裸芯片之上，該重布線層壓結構包含多個重新分配接合焊盤，其中，多個該重新分配接合焊盤耦接該多個輸入/輸出焊盤；

至少一個接合線，將至少一個該重新分配接合焊盤與該芯片載體互連；

芯片封裝，設置在至少另一個該重新分配接合焊盤之上；以及

膠體，封裝該接合線的至少一部分。

2.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其中，該重新分配接合焊盤中的至少一個投射在該半導體裸芯片的裸芯片側面之外。

3.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該芯片封裝設置在該膠體的空腔內。

4.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該膠體進一步封裝該芯片封裝的至少一部分。

5.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該芯片封裝通過至少一凸塊與該半導體裸芯片電連接，其中該凸塊接合至該芯片封裝設置于之上的重新分配接合焊盤。

6.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該芯片載體為封裝基板或者印刷電路板。

7.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該芯片載體為引線框架。

8.如權利要求7所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該多芯片封裝為薄型四邊引腳扁平封裝或者四方扁平無引腳封裝。

9.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該接合線為金線或者銅線。

10.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，進一步包括支持結構，該支持結構包圍該半導體裸芯片。

11.如權利要求10所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該支持結構的頂面與該半導體裸芯片的裸芯片面基本齊平。

12.如權利要求11所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該重布線層壓結構也形成于該支持結構的該頂面上。

13.如權利要求10所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該支持結構和該膠體由不同的膠餅形成。

14.如權利要求1所述的多芯片封裝結構，其特征在于，該芯片封裝可通過至少一銅柱與該半導體裸芯片電連接，其中該銅柱接合至該芯片封裝設置于之上的重新分配接合焊盤。

15.一種形成多芯片封裝結構的方法，包含：

提供芯片載體；

設置半導體裸芯片在該芯片載體的裸芯片依附面上，其中，多個輸入/輸出焊盤位于該半導體裸芯片之內或者之上；

在該半導體裸芯片之上提供重布線層壓結構，該重布線層壓結構包含多個重新分配接合焊盤，其中，多個該重新分配接合焊盤耦接該多個輸入/輸出焊盤；

在至少一個該重新分配接合焊盤與該芯片載體之間連接至少一個接合線；

在至少另一個該重新分配接合焊盤上設置芯片封裝；以及

由膠體封裝該接合線的至少一部分。

16.如權利要求15所述的形成多芯片封裝結構的方法，其特征在于，至少一個該重新分配接合焊盤投射在該半導體裸芯片的裸芯片側面之外。

17.如權利要求15所述的形成多芯片封裝結構的方法，其特征在于，該芯片封裝設置在該膠體的空腔內。

18.如權利要求15所述的形成多芯片封裝結構的方法，其特征在于，該膠體進一步封裝該芯片封裝的至少一部分。

19.如權利要求15所述的形成多芯片封裝結構的方法，其特征在于，該芯片封裝通過至少一凸塊與該半導體裸芯片電連接，其中該凸塊接合至該芯片封裝設置于之上的重新分配接合焊盤。

20.如權利要求15所述的形成多芯片封裝結構的方法，其特征在于，該芯片封裝可通過至少一銅柱與該半導體裸芯片電連接，其中該銅柱接合至該芯片封裝設置于之上的重新分配接合焊盤。