[發明專利]一種超高壓CBB四串無感電容器制備方法

無效

• 申請號: 201010199143.1
• 申請日: 2010-06-11
• 公開（公告）號: CN101894669A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 楊文榮
• 申請（專利權）人: 楊文榮
• 主分類號: H01G4/32
• 分類號: H01G4/32;H01G4/33;H01G4/38
• 代理公司: 杭州華鼎知識產權代理事務所(普通合伙) 33217
• 代理人: 胡根良

1.一種超高壓CBB四串無感電容器制備方法，其特征在于制備過程包括以下步驟：

(1)選用優質聚丙烯薄膜材料，將鋅鋁基材微米材料均勻地涂覆在聚丙烯薄膜表面，制成所需的金屬化薄膜；然后對金屬化薄膜進行蒸鍍處理：一面薄膜采用蒸三留二的方式，另外一面則采用蒸二留三的方式，蒸三留二是指一張薄膜上蒸鍍三個地方，中間留出兩個距離相等的空邊；蒸二留三是指一張膜蒸鍍兩個地方，而蒸鍍的兩個地方和蒸三留二的空邊正好對應，留出三個距離相等的空邊又和蒸三留二蒸鍍的三個地方對應，這樣兩張蒸鍍好的薄膜卷繞重疊后形成四個等量電容器串聯；

(2)對蒸鍍處理過的金屬化薄膜邊緣部分進行高分子堆積，形成與外部噴金材料完好接觸的一層金屬層；

(3)將高分子堆積后的金屬化薄膜兩面進行重疊卷繞，形成了一個四串的電容器，使得一個完整的電容器里面由4個容量相等的電容器串聯而成，起到分壓的作用；

(4)用噴金材料將電容器的表面噴涂，再用大電流將鍍錫銅包鋼線或鍍錫銅線溶在電容器的金屬端面，使之完好的接觸，然后將電容器的電極引出；

(5)最后再將電容器的兩端密封，即可制得所需的電容器。

2.根據權利要求1所述的一種超高壓CBB四串無感電容器制備方法，其特征在于：采用蒸三留二方式蒸鍍處理過的金屬化薄膜，方阻在3.5～4.0；采用蒸二留三方式蒸鍍處理過的金屬化薄膜，方阻在5.0～5.5。

3.根據權利要求2所述的一種超高壓CBB四串無感電容器制備方法，其特征在于：所述噴金材料為錫、銻、銅、鋅四元合素。

4.根據權利要求1所述的一種超高壓CBB四串無感電容器制備方法，其特征在于：所述鋅鋁基材用真空靜電涂覆法涂覆在聚丙烯薄膜表面。

5.根據權利要求1所述的一種超高壓CBB四串無感電容器制備方法，其特征在于：所述電容器的兩端使用環氧樹脂密封。