[發明專利]在集成電路中生成電能的方法、相應集成電路及制造方法有效

申請號：	201010198989.3	申請日：	2010-06-04
公開（公告）號：	CN101908835A	公開（公告）日：	2010-12-08
發明（設計）人：	克利斯汀·施瓦茲;克里斯托弗·蒙塞里;朱利安·德拉洛	申請（專利權）人：	ST微電子(魯塞)有限公司;普羅斯旺埃克斯馬賽大學
主分類號：	H02N2/18	分類號：	H02N2/18
代理公司：	北京德琦知識產權代理有限公司 11018	代理人：	康泉;宋志強
地址：	法國***	國省代碼：	法國;FR
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	集成電路生成電能方法相應制造
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權利要求書】：

1.一種在集成電路中生成電能的方法，包括：

將所述集成電路(CI)內制作的一個或多個三維封閉空間(CG)與所述一個三維封閉空間或每個三維封閉空間(CG)內以自由方式容納的一個或多個物體(BL)設置為相對運動(20)，所述一個或多個三維封閉空間(CG)包含一個或多個壓電元件(EPZ1)；以及

由所述相對運動(20)期間所述一個物體或所述多個物體中的至少一個物體與所述一個壓電元件或所述多個壓電元件中的至少一個壓電元件之間的至少一次碰撞產生電能(22)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中多個物體(BL)以自由方式被容納于所述一個封閉空間(CG)或所述多個封閉空間(CG)中的至少一個封閉空間(CG)中，并且所述電能產生(22)由一個或多個物體(BL)對所述一個封閉空間或所述多個封閉空間中至少一個封閉空間內的一個或多個壓電元件(EPZ1)的每次碰撞引起。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中一個或多個封閉空間(CG)包含多個壓電元件(EPZ1，C80)，并且所述電能產生(22)由一個或多個物體對所述一個封閉空間或所述多個封閉空間中至少一個封閉空間內的一個或多個壓電元件的每次碰撞引起。

4.根據前述權利要求之一所述的方法，其中以以下方式將一個或多個壓電元件(EPZ1)固定于所述一個封閉空間或所述多個封閉空間中至少一個封閉空間的一個壁的至少一部分附近：使得所述物體以自由方式被容納于所述壓電元件與所述封閉空間的其它壁之間。

5.根據前述權利要求之一所述的方法，其中以以下方式將一個或多個第一壓電元件(EPZ1)固定于所述一個封閉空間或所述多個封閉空間中至少一個封閉空間的第一壁的至少一部分附近，并將一個或多個第二壓電元件(C80)固定于所述封閉空間的第二壁的至少一部分附近：使得所述物體以自由方式被容納于所述第一壓電元件、所述第二壓電元件與所述封閉空間的其它壁之間。

6.根據前述權利要求之一所述的方法，其中相同或不同尺寸的物體(BL)以自由方式被容納于所述一個封閉空間或所述多個封閉空間中的至少一個封閉空間中。

7.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所述封閉空間被制作在所述集成電路的金屬化層(M_n)之上。

8.根據前述權利要求之一所述的方法，其中所產生的能量被儲存于(23)所述集成電路中制作的存儲裝置(CST)中。

9.前述權利要求之一所述的方法，其中所述設置為相對運動由集成電路外部與所述集成電路(CI)直接或以一距離(SIN)交互的事件發生而引起。

10.一種檢測集成電路外部事件發生的方法，包括：

根據權利要求1至9之一的在集成電路中生成能量的方法，所述設置為相對運動(211)由從所述發生引起的動作導致，以及

發射(212)基于所述能量產生而生成的信號(SDT)。

11.一種集成電路，包括：

在所述集成電路(CI)內制作、并且包含一個或多個壓電元件(EPZ1)的一個或多個三維封閉空間(CG)；

以自由方式被容納于所述一個三維封閉空間或每個封閉空間中的一個或多個物體(BL)；以及

導電輸出裝置(MSE)，連接至所述壓電元件，并且被配置為傳送由所述物體與相應封閉空間的相對運動期間所述一個物體或所述多個物體中的至少一個物體與所述一個壓電元件或所述多個壓電元件中的至少一個壓電元件之間的至少一次碰撞產生的電能。

12.根據權利要求11所述的集成電路，其中多個物體(BL)以自由方式被容納于所述一個封閉空間或所述多個封閉空間中的至少一個封閉空間中。