[發(fā)明專利]具有低蠕變趨勢的含增塑劑的膜的光電模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010198895.6 | 申請日: | 2010-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN101908570A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | U·凱勒;M·斯托伊爾;磯上宏一郎 | 申請(專利權(quán))人: | 可樂麗歐洲有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18;C08L29/14;B32B17/10 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 石克虎;林森 |
| 地址: | 德國法*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 低蠕變 趨勢 增塑劑 光電 模塊 | ||
1.光電模塊,其包含由下列構(gòu)成的層壓體:
a)透明的前覆蓋層
b)一個或多個光敏半導(dǎo)體層
c)至少一個基于聚乙烯醇縮醛的含增塑劑的膜,和
d)后覆蓋層,
其特征在于,該基于聚乙烯醇縮醛的含增塑劑的膜c)含有聚乙烯醇含量低于18重量%的聚乙烯醇縮醛,且具有在100℃溫度在7天后低于5mm的蠕變趨勢,所述蠕變趨勢在具有3mm浮法玻璃/0.76mm膜c)/3mm浮法玻璃結(jié)構(gòu)的層壓體上測定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光電模塊,其特征在于,所述聚乙烯醇縮醛具有大于110000g/mol的分子量Mw。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的光電模塊,其特征在于,所述聚乙烯醇縮醛具有大于80mPas的溶液粘度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一的光電模塊,其特征在于,所述聚乙烯醇縮醛經(jīng)羧基,通過多元醛、戊二醛或者二羥乙酸交聯(lián)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一的光電模塊,其特征在于,所述聚乙烯醇縮醛通過具有如下步驟的方法制備:
-準(zhǔn)備聚乙烯醇和至少一種醛的水溶液
-在低溫下添加酸而沉淀出聚乙烯醇縮醛(沉淀階段)
-將所述反應(yīng)混合物加熱到升高的溫度(加熱階段)
其中所述沉淀階段持續(xù)60-360分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一的光電模塊,其特征在于,所述聚乙烯醇縮醛通過具有如下步驟的方法制備:
-準(zhǔn)備聚乙烯醇和酸的水溶液
-在低溫下添加至少一種醛而沉淀出聚乙烯醇縮醛(沉淀階段),
-將所述反應(yīng)混合物加熱到升高的溫度(加熱階段)
其中該沉淀階段持續(xù)60至360分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一的光電模塊,其特征在于,所述聚乙烯醇縮醛具有低于14重量%的聚乙酸乙烯酯含量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7之一的光電模塊,其特征在于,所述基于聚乙烯醇縮醛的含有增塑劑的膜c)具有18-32重量%的增塑劑含量。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8之一的光電模塊,其特征在于,作為增塑劑使用一種或多種化合物,這些化合物的用式100xO/(C+H)表示的極性小于/等于9.4;其中O、C和H表示在各自分子中的氧,碳和氫原子的數(shù)目。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9之一的光電模塊,其特征在于,作為增塑劑使用一種或多種選自下列的化合物:二-2-乙基己基癸二酸酯,二-2-乙基己基己二酸酯,二-2-乙基己基鄰苯二甲酸酯,己二酸二己基酯,癸二酸二丁基酯,二-2-丁氧基乙基癸二酸酯,三甘醇-雙-2-乙基己酸酯和1,2-環(huán)己烷二羧酸二異壬基酯。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10之一的光電模塊,其特征在于,所述基于聚乙烯醇縮醛的含增塑劑的膜含有低于50ppm的金屬離子。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11之一的光電模塊,其特征在于,所述基于聚乙烯醇縮醛的含增塑劑的膜含有0.001-5重量%的SiO2。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-12之一的光電模塊,其特征在于,作為聚乙烯醇縮醛使用聚乙烯醇縮丁醛。
14.基于聚乙烯醇縮醛的含增塑劑的膜用于生產(chǎn)光電模塊的用途,該膜含有聚乙烯醇含量低于18重量%的聚乙烯醇縮醛,且具有在100℃溫度在7天后低于5mm的蠕變趨勢,所述蠕變趨勢在具有3mm浮法玻璃/0.76mm膜c)/3mm浮法玻璃結(jié)構(gòu)的層壓體上測定。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





