[發明專利]一種存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201010198812.3
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN101958146A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 龍翔瀾
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：

一相變存儲器單元的存儲器陣列；

一相變存儲器單元的參考陣列；

一偏壓電路，用以在所述存儲器陣列中及所述參考陣列中建立低電阻狀態及高電阻狀態，所述參考陣列的高電阻狀態的最小阻值小于所述存儲器陣列的高電阻狀態的最小阻值；

一感測電路，用以讀取所述參考陣列，并在儲存于所述參考陣列中的當前數據集與預期數據集之間存在差異的情況下產生一更新命令信號；以及

一控制電路，響應于所述更新命令信號而對所述存儲器陣列執行更新操作。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，更包括用以儲存對應于所述預期數據集的第一總和檢查碼的存儲器，且其中所述感測電路包含邏輯，用以使用所述當前數據集來計算第二總和檢查碼，并將所述第一總和檢查碼與所述第二總和檢查碼進行比較以產生所述更新命令信號。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，儲存于所述參考陣列中的所述預期數據集是所述參考陣列中的鄰近存儲器單元之間交替的高電阻狀態與低電阻狀態的一棋盤式圖案。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述偏壓電路用以對所述參考陣列中的存儲器單元施加第一脈沖以建立所述參考陣列的高電阻狀態，且用以對所述存儲器陣列中的存儲器單元施加第二脈沖以建立所述存儲器陣列的高電阻狀態，所述第一脈沖及所述第二脈沖針對脈沖寬度及脈沖高度中的至少一者具有不同的值。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其特征在于，所述參考陣列中的存儲器單元的活性區小于所述存儲器陣列中的存儲器單元的活性區，所述參考陣列包含100個或100個以上的存儲器單元。

6.一種用于操作包括相變存儲器單元的存儲器陣列及相變存儲器單元的參考陣列的存儲器裝置的方法，其特征在于，所述方法包括：

將低電阻狀態及高電阻狀態儲存于所述存儲器陣列中及所述參考陣列中，所述參考陣列的高電阻狀態的最小阻值小于所述存儲器陣列的高電阻狀態的最小阻值；

讀取所述參考陣列；

判定儲存于所述參考陣列中的當前數據集與預期數據集之間的差異；以及

在判定所述差異之后，對所述存儲器陣列執行更新操作。

7.根據權利要求6所述的用于操作包括相變存儲器單元的存儲器陣列及相變存儲器單元的參考陣列的存儲器裝置的方法，其中所述判定包含：

使用所述當前數據集來計算總和檢查碼；以及

對所述總和檢查碼與預期總和檢查碼進行比較以判定差異。

8.根據權利要求6所述的用于操作包括相變存儲器單元的存儲器陣列及相變存儲器單元的參考陣列的存儲器裝置的方法，其特征在于，儲存于所述參考陣列中的所述預期數據集是所述參考陣列中的鄰近存儲器單元之間交替的高電阻狀態與低電阻狀態的棋盤式圖案。

9.根據權利要求6所述的用于操作包括相變存儲器單元的存儲器陣列及相變存儲器單元的參考陣列的存儲器裝置的方法，其特征在于，所述儲存包含：

對所述參考陣列中的存儲器單元施加第一脈沖以建立所述參考陣列的所述高電阻狀態；以及

對所述存儲器陣列中的存儲器單元施加第二脈沖以建立所述存儲器陣列的所述高電阻狀態，所述第一脈沖及所述第二脈沖針對脈沖寬度及脈沖高度中的至少一者具有不同的值。

10.根據權利要求6所述的用于操作包括相變存儲器單元的存儲器陣列及相變存儲器單元的參考陣列的存儲器裝置的方法，其特征在于，所述參考陣列中的存儲器單元的活性區小于所述存儲器陣列中的存儲器單元的活性區，所述參考陣列包含100個或100個以上的存儲器單元。