[發明專利]發光二極管電路及其誤差放大器

無效

• 申請號: 201010198580.1
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102270969A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 尹明德;李秋平
• 申請（專利權）人: 原景科技股份有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45;H05B37/00;H05B37/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種誤差放大器，包含：

一差動輸入級，包含一差動輸出端；

一輸出級，包含：

一第一N型金屬氧化物半導體晶體管，包含一漏極以及一柵極，其中該漏極連接至一誤差放大器輸出端以及該柵極連接至該差動輸出端；

一第一P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一柵極以及一漏極，其中該柵極連接至一柵極控制器，該漏極連接至該第一N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；

一第二N型金屬氧化物半導體晶體管；以及

一第二P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一漏極，其中該漏極連接至該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；以及

一控制開關模塊；

其中于一第一操作模式中，該控制開關模塊使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的該柵極連接至該柵極控制器，使該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的該柵極連接至該差動輸出端以及使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的該漏極連接至該誤差放大器輸出端；

于一第二操作模式中，該控制開關模塊使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管以及該第二N型金屬氧化物半導體晶體管不與該柵極控制器、該差動輸出端以及該誤差放大器輸出端連接。

2.如權利要求1所述的誤差放大器，其中于該第一操作模式中，該控制開關模塊使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的柵極連接至該柵極控制器，使該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極連接至該差動輸出端以及使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的漏極連接至該誤差放大器輸出端，以提升該輸出級的跨導值。

3.如權利要求1所述的誤差放大器，其中于該第二操作模式中，該控制開關模塊使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管以及該第二N型金屬氧化物半導體晶體管不與該柵極控制器、該差動輸出端以及該誤差放大器輸出端連接，以降低該輸出級的跨導值。

4.如權利要求1所述的誤差放大器，其中該控制開關模塊包含：

一第一開關，連接于該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的漏極與該誤差放大器輸出端之間；

一第二開關，連接于該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的柵極與該柵極控制器之間；以及

一第三開關，連接于該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極與該差動輸出端之間。

5.如權利要求1所述的誤差放大器，其中該差動輸入級還包含一第一輸入端以及一第二輸入端，該第一輸入端用以接收一參考電壓，該第二輸入端用以接收一變動電壓，其中該差動輸出端根據該參考電壓以及該變動電壓產生一差動輸出電壓。

6.如權利要求1所述的誤差放大器，其中該柵極控制器為一電流源。

7.一種發光二極管電路，包含：

一電感，用以連接一供應電壓以及一第一端；

一發光二極管群組，連接于該第一端；

一功率金屬氧化物半導體晶體管，連接于該第一端；

一誤差放大器，包含：

一差動輸入級，包含一差動輸出端；

一輸出級，包含：

一第一N型金屬氧化物半導體晶體管，包含一漏極以及一柵極，其中該漏極連接至一誤差放大器輸出端以及該柵極連接至該差動輸出端；

一第一P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一柵極以及一漏極，其中該柵極連接至一柵極控制器，該漏極連接至該第一N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；

一第二N型金屬氧化物半導體晶體管；

一第二P型金屬氧化物半導體晶體管，包含一漏極，其中該漏極連接至該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；以及

一控制開關模塊，其中于一第一操作模式中，該控制開關模塊使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的柵極連接至該柵極控制器，使該第二N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極連接至該差動輸出端以及使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管的漏極連接至該誤差放大器輸出端；于一第二操作模式中，該控制開關模塊使該第二P型金屬氧化物半導體晶體管以及該第二N型金屬氧化物半導體晶體管，不與該柵極控制器、該差動輸出端以及該誤差放大器輸出端連接；以及。

一脈寬調制器，用以根據該誤差放大器輸出端產生一開關訊號，以控制該功率金屬氧化物半導體晶體管，以對該發光二極管群組進行充電或放電。