[發明專利]半導體器件以及其制備方法有效
| 申請號： | 201010198571.2 | 申請日： | 2010-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN101908521A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 小倉正巳;高柳教人;山田友子;加藤潤;增田次男;合葉司;高野文明 | 申請（專利權）人： | 本田技研工業株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/34;H01L25/00;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;鄭菊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
通過將第一金屬板和第二金屬板分別鍵合到絕緣襯底的兩個表面而形成的電路板，
要通過第一焊料鍵合到所述第一金屬板的外表面的至少一個半導體元件，以及
要通過第二焊料鍵合到所述第二金屬板的外表面的散熱底板，其中
所述第一焊料和所述第二焊料由相同類型的焊接材料構成，并且
所述第一金屬板和所述第二金屬板的厚度總和與所述絕緣襯底的厚度的比值設置在1.5到5.5的范圍以確保所述第一焊料和所述第二焊料中的每一種對溫度應力的耐久性。
2.依照權利要求1的半導體器件，其中
所述第一焊料和所述第二焊料為由SnCu基、SnAg基或者SnAgCu基合金所形成的無鉛焊料，并且不包含稀有金屬。
3.一種制備半導體器件的方法，該半導體器件包括通過將第一金屬板和第二金屬板分別鍵合到絕緣襯底的兩個表面而形成的電路板、要通過第一焊料鍵合到所述第一金屬板的外表面的至少一個半導體元件，以及要通過第二焊料鍵合到所述第二金屬板的外表面的散熱底板，
本方法包括步驟：
以這樣的方式制備所述電路板使得所述第一金屬板和所述第二金屬板的厚度總和與絕緣襯底的厚度的比值設置在預定范圍內，在其中能夠確保所述第一焊料和所述第二焊料中的每一種對溫度應力的耐久性；以及
在相同的加熱條件下同時執行用以通過所述第一焊料將所述半導體元件鍵合到所述電路板的所述第一金屬板的外表面的工藝流程，以及用以通過所述第二焊料將所述底板鍵合到所述第二金屬板的外表面的工藝流程，其中
所述第一焊料和所述第二焊料由相同類型的無鉛焊接材料所構成。
4.依照權利要求3的半導體器件的制備方法，其中
所述比值的范圍從1.5到5.5。
5.依照權利要求3的半導體器件的制備方法，其中
所述第一焊料和所述第二焊料由SnCu基、SnAg基或者SnAgCu基合金所形成，并且不包含稀有金屬。
6.依照權利要求3的半導體器件的制備方法，其中
工藝流程在回流爐中以從240℃到320℃的回流溫度進行。
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