[發(fā)明專利]多晶硅疊層、雙柵以及半導體材料疊層刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010198424.5
• 申請日: 2010-06-11
• 公開（公告）號: CN101908479A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張振興;奚裴
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種多晶硅疊層刻蝕方法，包括：

光刻膠涂覆步驟，用于在頂部多晶硅層上涂覆光刻膠；以及

曝光步驟，用于對光刻膠進行曝光以得到光刻膠圖案；

所述方法的特征在于，所述方法還包括：

第一刻蝕步驟，用于以得到的光刻膠圖案為掩?？涛g頂部多晶硅層，以使得刻蝕后的頂部多晶硅層的截面形成一個上窄下寬的梯形；以及

第二刻蝕步驟，用于以得到的光刻膠圖案為掩?？涛g底部多晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅疊層刻蝕方法，其特征在于，采用干法刻蝕來執(zhí)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅疊層刻蝕方法，其特征在于，采用標準流程方法來執(zhí)行第二刻蝕步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅疊層刻蝕方法，其特征在于，在第一刻蝕步驟中，通過控制局部等離子體能量及氣體流量來控制刻蝕后的頂部多晶硅層的側(cè)壁的傾斜度。

5.一種雙柵半導體器件的雙柵刻蝕方法，所述雙柵半導體器件包括控制柵極和浮柵，其中所述方法包括：

光刻膠涂覆步驟，用于在頂部多晶硅層上涂覆光刻膠；以及

曝光步驟，用于對光刻膠進行曝光以得到光刻膠圖案；

所述方法的特征在于，所述方法還包括：

第一刻蝕步驟，用于以得到的光刻膠圖案為掩模刻蝕頂部多晶硅層以形成控制柵極，以使得所形成的控制柵極的側(cè)壁的截面形成一個上窄下寬的梯形；以及

第二刻蝕步驟，用于以得到的光刻膠圖案為掩?？涛g底部多晶硅層以形成浮柵。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙柵刻蝕方法，其特征在于，采用干法刻蝕來執(zhí)行第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙柵刻蝕方法，其特征在于，采用標準流程方法來執(zhí)行第二刻蝕步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙柵刻蝕方法，其特征在于，在第一刻蝕步驟中，通過控制局部等離子體能量及氣體流量來控制所形成的控制柵極的側(cè)壁的傾斜度。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙柵刻蝕方法，其特征在于，雙柵半導體器件是存儲器元件。

10.一種半導體材料疊層刻蝕方法，其中所述半導體材料疊層至少包括第一半導體材料層和第二半導體材料層，并且第一半導體材料層和第二半導體材料層包含相同的半導體材料，其特征在于所述方法包括：

第一刻蝕步驟，用于刻蝕第一半導體材料層，以使得刻蝕后的第一半導體材料層的截面形成一個上窄下寬的梯形；以及

第二刻蝕步驟，用于刻蝕第二半導體材料層。