[發明專利]透明導電薄膜及制備方法

有效

• 申請號: 201010198124.7
• 申請日: 2010-06-10
• 公開（公告）號: CN101894601A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 鄧泰均;李鵬;吳勝紅
• 申請（專利權）人: 泰陽電子(東莞)有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;B05D1/02;B05D3/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 譚一兵

1.一種透明導電薄膜的制備方法，其特征在于用熱噴霧法獲得所述的透明導電薄膜，包括如下步驟：

①、首先將微晶玻璃板用去離子水和酒精進行清洗，將清洗過的微晶玻璃板放入升溫爐里，加熱到400℃～800℃，烘干待用；

②、配制噴涂液，噴涂液的材料的質量百分比如下：

氧化錫前體????25％～40％

銻前體????????0.5％～1.2％

鋇前體????????0.6％～1.6％

HCl???????????15％～25％

酒精??????????40％～60％，

用鹽酸溶解氧化錫前體，用酒精分別溶解銻前體和鋇前體，用磁力攪拌器攪拌均勻，把三種溶液混合、攪拌，得到均勻的噴涂液；

③、將上述配制好的噴涂液用噴槍噴涂到加熱的微晶玻璃板上，在爐膛末端，玻璃溫度在400℃～700℃，在此溫度下噴涂，爐膛末端設置一排噴槍，噴涂時以壓縮的空氣為氣體載體，每次的沉積時間固定為4～8秒；

④、取出噴涂后的微晶玻璃板，把噴涂后的微晶玻璃板放入隧道爐內燒結，燒結時間為45～60分鐘；

⑤、然后把微晶玻璃板進入到保溫區，保溫10～200分鐘，隨爐冷卻到室溫，得到成品。

2.根據權利要求1所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟②所述的氧化錫前體是SnCl₄.5H₂O或SnCl₂.2H₂O的任意一種。

3.根據權利要求1所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟②所述的銻前體是Sb₂Cl₃，所述的鋇的前體是BaO或BaCl₂的任意一種形式。

4.根據權利要求2所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：步驟②所述的溶液以四氯化錫為主，氯化鉍為摻雜劑。

5.根據權利要求3所述的透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：所述氧化鋇為溫度系數平衡劑、鹽酸為輔助劑、酒精為溶劑。

6.一種透明導電薄膜，其特征在于：主體材料氧化錫中摻雜有銻元素所構成的錫銻氧化物，所述薄膜的原材料的質量百分比如下：

SnCl₄.5H₂O????25％～40％

Sb₂Cl₃????????0.5％～1.2％

BaO???????????0.6％～1.6％

HCl???????????15％～25％

酒精??????????40％～60％。