[發明專利]集成電路方法

有效

• 申請號: 201010197756.1
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN102169516A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 鄭英周;歐宗樺;許志瑋;蔡正隆;劉如淦;黃文俊;羅博仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一集成電路設計布局；

進行一模擬熱效應步驟，藉以模擬該集成電路設計布局的一熱效應；

進行一模擬電氣性能步驟，藉以根據該熱效應的模擬來模擬該集成電路設計布局的一電氣性能；以及

根據該電氣性能的模擬，進行該集成電路設計布局的一熱虛擬置入。

2.根據權利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中更包含在進行該集成電路設計布局的該熱虛擬置入之后，根據該集成電路設計布局制造一遮罩。

3.根據權利要求2所述的集成電路方法，其特征在于其中更包含使用該遮罩制造一晶圓。

4.根據權利要求2所述的集成電路方法，其特征在于其中更包含在制造該遮罩之前，重復進行該模擬熱效應步驟、進行該模擬電氣性能步驟、以及進行該集成電路設計布局的該熱虛擬置入，且其中重復進行該集成電路設計布局的該熱虛擬置入包含加入一熱虛擬特征、從新定義一熱虛擬特征的尺寸、從新定義一熱虛擬特征的位置、及從新定義一熱虛擬特征的形狀其中的至少一者。

5.根據權利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中所述的進行該模擬熱效應步驟包含模擬在一退火工藝中，一輻射光束的反射、傳輸及吸收。

6.根據權利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中所述的進行該模擬電氣性能步驟包含模擬一離子植入工藝，或包含萃取臨界值電壓及飽和電流其中至少一者。

7.根據權利要求1所述的集成電路方法，其特征在于其中所述的進行該模擬熱效應步驟包含使用一熱模型模擬該集成電路設計布局的該熱效應，且更包含：

提供多個測試圖案，其中每一該些測試圖案具有個別的線寬、線的間距、及線密度；

收集該些測試圖案的熱資料；以及

根據該熱資料建構該熱模型。

8.一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供多個測試圖案；

收集該些測試圖案的熱資料；

根據該熱資料建構一熱模型；以及

使用該熱模型，將多個熱虛擬特征加入至一集成電路設計。

9.根據權利要求8所述的集成電路方法，其特征在于將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設計更包含：

使用該熱模型來模擬該集成電路設計的一熱效應；以及

根據該熱效應的模擬來模擬該集成電路設計的一電氣性能。

10.根據權利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中每一該些測試圖案包含多個線特征或一個別的作用比，其中該些線特征具有個別的線寬、線的間距、及線密度。

11.根據權利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中提供該些測試圖案包含制造多個測試圖案在至少一晶圓上；以及收集該些測試圖案的熱資料包含從該至少一晶圓上收集該熱資料，其中該些測試圖案包含淺溝渠隔離特征。

12.根據權利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中收集該些測試圖案的熱資料包含：根據選自于由一急驟退火工藝、一快速熱退火工藝、及一激光尖峰退火工藝所組成的一群組的一熱退火工藝，模擬該測試圖案。

13.根據權利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中根據該熱資料建構該熱模型包含產生一查詢表，且將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設計包含使用該查詢表加入該些熱虛擬特征。

14.根據權利要求8所述的集成電路方法，其特征在于其中將該些熱虛擬特征加入至該集成電路設計包含使用該熱模型確認該集成電路設計上的一熱弱點，并將熱虛擬置入應用至該集成電路設計的該熱弱點。

15.一種集成電路方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供多個測試圖案；

收集該些測試圖案的熱資料；

根據該熱資料建構一查詢表；

評估一集成電路設計的熱效應；

使用該查詢表，將多個熱虛擬特征加入至該集成電路設計；以及

在此之后，根據該集成電路設計制造一遮罩。