[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及該半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010197655.4
• 申請(qǐng)日: 2010-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN101901838A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 淺野裕治;肥塚純一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;H01L27/02
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱海煜;徐予紅

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的氧化物半導(dǎo)體層；

所述氧化物半導(dǎo)體層上的第一緩沖層及第二緩沖層；以及

所述第一緩沖層及所述第二緩沖層上的源電極層及漏電極層，

其中，所述第一緩沖層及所述第二緩沖層的導(dǎo)電率高于所述氧化物半導(dǎo)體層的導(dǎo)電率且所述第一緩沖層及所述第二緩沖層受到反濺射處理及氮?dú)夥罩械臒崽幚恚?/p>

并且，所述氧化物半導(dǎo)體層和所述源電極層及所述漏電極層隔著所述第一緩沖層及所述第二緩沖層電連接。

2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的高導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體層；

所述高導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體層上的氧化物半導(dǎo)體層；

所述氧化物半導(dǎo)體層上的第一緩沖層及第二緩沖層；以及

所述第一緩沖層及所述第二緩沖層上的源電極層及漏電極層，

其中，所述第一緩沖層及所述第二緩沖層的導(dǎo)電率高于所述氧化物半導(dǎo)體層的導(dǎo)電率且所述第一緩沖層及所述第二緩沖層受到進(jìn)行反濺射處理及氮?dú)夥罩械臒崽幚恚?/p>

所述高導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體層的導(dǎo)電率高于所述氧化物半導(dǎo)體層的導(dǎo)電率且通過(guò)進(jìn)行反濺射處理及氮?dú)夥罩械臒崽幚韥?lái)形成，

并且，所述氧化物半導(dǎo)體層和所述源電極層及所述漏電極層隔著所述第一緩沖層及所述第二緩沖層電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述高導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體層使用由氧化物半導(dǎo)體而成的非單晶膜形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述高導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體層使用由包含氮的氧化物半導(dǎo)體而成的非單晶膜形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體裝置，其中所述第一緩沖層及所述第二緩沖層使用由氧化物半導(dǎo)體而成的非單晶膜形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體裝置，其中所述第一緩沖層及所述第二緩沖層使用由氧化物半導(dǎo)體而成的非單晶膜形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一緩沖層及所述第二緩沖層使用由包含氮的氧化物半導(dǎo)體而成的非單晶膜形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一緩沖層及所述第二緩沖層使用由包含氮的氧化物半導(dǎo)體而成的非單晶膜形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層通過(guò)進(jìn)行在氮?dú)夥罩械臒崽幚硇纬伞?/p>

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層通過(guò)進(jìn)行氮?dú)夥罩械臒崽幚硇纬伞?/p>

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層通過(guò)進(jìn)行大氣氣氛中的熱處理來(lái)形成。

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層通過(guò)進(jìn)行大氣氣氛中的熱處理來(lái)形成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括位于所述第一緩沖層及所述第二緩沖層之間的區(qū)域，且其厚度薄于與所述第一緩沖層及所述第二緩沖層重疊的區(qū)域的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包括位于所述第一緩沖層及所述第二緩沖層之間的區(qū)域，且其厚度薄于與所述第一緩沖層及所述第二緩沖層重疊的區(qū)域的厚度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述柵電極層的溝道方向上的寬度薄于所述氧化物半導(dǎo)體層的溝道方向上的寬度。

16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述柵電極層的溝道方向上的寬度薄于所述氧化物半導(dǎo)體層的溝道方向上的寬度。