[發明專利]半導體裝置的生產方法有效
| 申請號: | 201010197639.5 | 申請日: | 2005-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN101924124A | 公開(公告)日: | 2010-12-22 |
| 發明(設計)人: | 前川慎志 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/10;H01L51/40;G09F9/33 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李進;李連濤 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 生產 方法 | ||
1.一種顯示裝置,該顯示裝置包括:
第一柔性基底;
第二柔性基底;
第一柔性基底和第二柔性基底之間的有機TFT;
與所述有機TFT電連接的象素電極;
普通電極;和
象素電極和普通電極之間的包含帶電粒子的微膠囊;
其中所述有機TFT包含:
柵電極;
該柵電極上的柵絕緣膜;
該柵絕緣膜上的源電極和漏電極;
該源電極和漏電極上的有機半導體膜;和
該有機半導體膜上的包含絕緣材料的掩模。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述掩模的邊緣和有機半導體膜的側表面相互對準。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,該裝置還包括:
有機半導體膜上的無機膜,
其中所述掩模形成在該無機膜上。
4.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述源電極和漏電極的材料與柵電極的材料相同。
5.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述絕緣材料包括光敏樹脂材料。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述有機半導體膜包括并五苯。
7.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述第一柔性基底包括選自以下的一種:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亞胺,且
其中所述第二柔性基底包括選自以下的一種:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亞胺。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,
其中所述柵電極包括由有機物質形成的粘結劑。
9.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
第一柔性基底;
第二柔性基底;
第一柔性基底和第二柔性基底之間的有機TFT;
與所述有機TFT電連接的象素電極;
普通電極;和
象素電極和普通電極之間的包含帶電粒子的微膠囊;
其中所述有機TFT包含:
柵電極;
該柵電極上的柵絕緣膜;
該柵絕緣膜上的有機半導體膜;
該有機半導體膜上的包含絕緣材料的掩模;和
該掩模上的源電極和漏電極。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中所述有機半導體膜具有錐形。
11.根據權利要求9所述的顯示裝置,
其中所述掩模的邊緣和有機半導體膜的側表面相互對準。
12.根據權利要求9所述的顯示裝置,該裝置還包括:
有機半導體膜上的無機膜,
其中所述掩模形成在該無機膜上。
13.根據權利要求9所述的顯示裝置,
其中所述源電極和漏電極的材料與柵電極的材料相同。
14.根據權利要求9所述的顯示裝置,
其中所述絕緣材料包括光敏樹脂材料。
15.根據權利要求9所述的顯示裝置,
其中所述有機半導體膜包括并五苯。
16.根據權利要求9所述的顯示裝置,
其中所述第一柔性基底包括選自以下的一種:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亞胺,且
其中所述第二柔性基底包括選自以下的一種:聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)和聚酰亞胺。
17.根據權利要求9所述的顯示裝置,
其中所述柵電極包括由有機物質形成的粘結劑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社半導體能源研究所,未經株式會社半導體能源研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010197639.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示器件、顯示裝置以及調節它們中的白光色移的方法
- 下一篇:集成電路結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





