[發(fā)明專利]單晶爐用熱屏以及具有其的單晶爐

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010197285.4
• 申請日: 2010-06-02
• 公開（公告）號: CN101838843A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發(fā)明（設計）人: 萬關良
• 申請（專利權(quán)）人: 萬關良
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B15/00
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 黃德海

1.一種用于單晶爐的熱屏，其特征在于，包括：

定位部，所述定位部用于與爐體連接，且所述定位部形成有上部開口端；和

錐臺部，所述錐臺部上端與定位部相連接且下端形成有下部開口端，其中，所述錐臺部由基體和位于基體內(nèi)表面上的內(nèi)層構(gòu)成，形成所述內(nèi)層的內(nèi)層材料是從包括硅、含硅化合物、耐1400℃金屬、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物質(zhì)的混合物所形成的組中選擇的，其中，

所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅、二氧化硅，

所述耐1400℃金屬包括鎢、鉬、鉭、鈮、釩、鉻、鈦、鋯及其合金，

所述硼化物包括碳化硼、氮化硼、硼化鋯、硼化鑭、硼化鈦、硼化鉭、硼化鉻、硼化鎢、硼化鉬、硼化釩、硼化鈮，

所述碳化物包括碳化鉻、碳化鉭、碳化釩、碳化鋯、碳化鎢、碳化鉬、碳化鈦、碳化鈮，

所述氮化物包括氮化鈦、氮化鎢、氮化鉬、氮化鉻、氮化鈮、氮化鋯、氮化鉭、氮化釩。

2.如權(quán)利要求1所述的熱屏，其特征在于，所述基體內(nèi)形成有第一中空部。

3.如權(quán)利要求1或2所述的熱屏，其特征在于，所述內(nèi)層由通過氣相沉積方法在所述基體上形成的膜構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1或2所述的熱屏，其特征在于，所述內(nèi)層為墊襯于所述基體內(nèi)表面上的墊襯所構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求4所述的熱屏，其特征在于，所述墊襯和所述基體之間形成有第二中空部。

6.一種單晶爐，其特征在于，包括：

上爐體；

下爐體，所述下爐體與所述上爐體相配合；

設置在所述下爐體內(nèi)的支撐裝置，所述支撐裝置上設置有坩堝并可旋轉(zhuǎn)；

設置在所述坩堝外周的至少一個加熱器，所述加熱器用于在所述下爐體和所述上爐體閉合時對所述坩堝進行加熱；

設置在所述加熱器外周的保溫層，所述保溫層的頂端高度高于所述坩堝的頂端高度；和

設置在所述坩堝的開口端的熱屏，所述熱屏包括定位部和錐臺部，所述定位部與所述保溫層的頂端連接且形成有上部開口端，所述錐臺部上端與定位部相連接且下端形成有下部開口端，且所述下部開口端的外徑小于所述坩堝的內(nèi)徑并且下部開口端與所述坩堝的上緣處于實質(zhì)上同一水平位置，其中，所述錐臺部由基體和位于基體內(nèi)表面上的內(nèi)層構(gòu)成，形成所述內(nèi)層的內(nèi)層材料是從包括硅、含硅化合物、耐1400℃金屬、硼化物、碳化物、氮化物、以及上述物質(zhì)的混合物的組中選擇的，其中，

所述含硅化合物包括碳化硅、氮化硅、硼化硅、二氧化硅，

所述耐1400℃金屬包括鎢、鉬、鉭、鈮、釩、鉻、鈦、鋯及其合金，

所述硼化物包括碳化硼、氮化硼、硼化鋯、硼化鑭、硼化鈦、硼化鉭、硼化鉻、硼化鎢、硼化鉬、硼化釩、硼化鈮，

所述碳化物包括碳化鉻、碳化鉭、碳化釩、碳化鋯、碳化鎢、碳化鉬、碳化鈦、碳化鈮，

所述氮化物包括氮化鈦、氮化鎢、氮化鉬、氮化鉻、氮化鈮、氮化鋯、氮化鉭、氮化釩。

7.如權(quán)利要求6所述的單晶爐，其特征在于，所述基體內(nèi)形成有第一中空部。

8.如權(quán)利要求6或7的任一項所述的單晶爐，其特征在于，所述內(nèi)層由通過氣相沉積方法在所述基體上形成的膜構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求6或7所述的單晶爐，其特征在于，所述內(nèi)層為墊襯于所述基體內(nèi)表面上的墊襯所構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求9所述的單晶爐，其特征在于，所述墊襯和所述基體之間形成有第二中空部。

11.一種單晶的制備方法，其特征在于，采用權(quán)利要求7至10的任一項所述的單晶爐來制備單晶，所述制備方法包括如下步驟：

向坩堝內(nèi)裝入多晶給料直至填滿坩堝；

在所述坩堝開口端上方放置熱屏，所述熱屏的錐臺部的下部開口端的外徑小于所述坩堝的內(nèi)徑并且下部開口端與所述坩堝的上緣處于實質(zhì)上同一水平位置；

通過所述熱屏的上部開口端繼續(xù)裝入多晶給料，使所述多晶給料在所述熱屏錐臺部內(nèi)堆積；

加熱并熔化所述多晶給料；以及

對熔化了的所述多晶給料進行拉制單晶。