[發明專利]二氧化鈦納米管陣列電極光電催化薄層反應器及其應用無效
| 申請號: | 201010197202.1 | 申請日: | 2010-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN101905142A | 公開(公告)日: | 2010-12-08 |
| 發明(設計)人: | 周保學;白晶;李金花;董超平;蔡偉民 | 申請(專利權)人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | B01J19/08 | 分類號: | B01J19/08;B01J19/12;C02F1/32;C02F101/30 |
| 代理公司: | 上海交達專利事務所 31201 | 代理人: | 毛翠瑩 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化 納米 陣列 電極 光電 催化 薄層 反應器 及其 應用 | ||
1.一種二氧化鈦納米管陣列電極光電催化薄層反應器,由陽極反應池(11)和陰極池(8)組成,其特征在于所述陽極反應池(11)為插有雙面鈦基TiO2納米管陣列薄膜光陽極(1)的石英玻璃薄層反應池,所述陰極池(8)插有鉑電極(2),陽極反應池(11)和陰極池(8)之間通過管道(5)連通,陽極反應池(11)的進水口(10)通過蠕動泵(3)與儲液池(7)相連,陰極池(8)的出水口(9)與儲液池(7)相連,陽極反應池(11)及陰極池(8)分別與電源(4)連接;紫外燈(6)布置在陽極反應池(11)的兩側,紫外光由陽極反應池(11)兩側照射到雙面鈦基TiO2納米管陣列薄膜光陽極(1)的表面;在陽極反應池(11)中,雙面鈦基TiO2納米管陣列薄膜光陽極(1)兩側的液層厚度相同,控制在0.2~2mm厚。
2.根據權利要求1的二氧化鈦納米管陣列電極光電催化薄層反應器,其特征在于所述雙面鈦基TiO2納米管陣列薄膜光陽極(1)通過陽極氧化制備,其制備方法是將洗凈的金屬鈦片作為陽極,置于含氫氟酸質量比0.5%的電解質溶液中,將鉑電極作為對電極,控制陽極氧化電壓20V,陽極氧化反應0.5h,得到鈦基二氧化鈦納米管陣列電極,將鈦基二氧化鈦納米管陣列電極在500℃空氣氣氛中燒結后,即得所述銳鈦礦型的雙面鈦基TiO2納米管陣列薄膜光陽極(1)。
3.權利要求1的二氧化鈦納米管陣列電極光電催化薄層反應器的應用,其特征在于將含有0.1M-1M硫酸鈉電解質的有機污染物加入所述反應器中,并進行循環流動,施加偏電壓0.8-3.0V,打開陽極反應池(11)兩側的紫外燈,對有機污染物進行光電催化處理。
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