[發(fā)明專利]一種致密PbSe多晶薄膜的簡單制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010197178.1 | 申請日： | 2010-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN101871097A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馬德偉;程成;嚴金華 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江工業(yè)大學 |
| 主分類號： | C23C16/30 | 分類號： | C23C16/30;H01L31/0312;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 黃美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 致密 pbse 多晶 薄膜 簡單 制備 方法 | ||
1.一種致密PbSe多晶薄膜的制備方法，其特征在于所述制備方法是：以硒粉為硒源，以PbO為鉛源，以碳粉作為還原劑，在570-1000℃的溫度條件下通過熱還原法制備得到所述的PbSe多晶薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的致密PbSe多晶薄膜的制備方法，其特征在于所述的制備方法包括以下步驟：將沉積薄膜的襯底清洗干凈以備后用；取原料硒粉、PbO粉末、碳粉混合均勻；將帶有石英管的管式爐加熱至570-1000℃保溫，連續(xù)通入惰性氣體；將混合均勻的原料置于石英舟中，把石英舟快速推入管式爐石英管的中間位置，然后把清洗好的襯底放在石英管中氣流的下游400-500℃位置，且使沉積薄膜的襯底表面朝下，根據(jù)薄膜厚度的需要，沉積一定時間以后，將襯底從管式爐中取出，置于大氣中冷卻至室溫，即得所述的致密PbSe多晶薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的致密PbSe多晶薄膜的制備方法，其特征在于所述原料硒粉與PbO的投料摩爾比為1.2-1.1∶1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的致密PbSe多晶薄膜的制備方法，其特征在于所述PbO與碳粉的投料摩爾比為1.0-2.0∶1。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的致密PbSe多晶薄膜的制備方法，其特征在于所述沉積薄膜的襯底的材質(zhì)為硅、藍寶石、石英或玻璃。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
