[發明專利]太陽電池

有效

• 申請號: 201010197017.2
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN101866969A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 劉致為;何偉碩;陳彥瑜;古峻源;陳建任;林漢涂;梁碩瑋
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/028;H01L31/20
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭蔚

1.一種太陽電池，包括：

一第一型摻雜單晶硅基板，具有一正面以及一背面；

一本征非晶硅層，配置于該正面上；

一第二型摻雜非晶硅層，配置于本征非晶硅層上；

一第一型摻雜結晶含鍺層，配置于該背面；以及

一對電極，與該第二型摻雜非晶硅層以及該第一型摻雜結晶含鍺層電性連接。

2.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜單晶硅基板的晶向為(100)、(110)或(111)。

3.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜單晶硅基板為p型摻雜單晶硅基板，而該第二型摻雜非晶硅層為n型摻雜非晶硅層。

4.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第二型摻雜非晶硅層的能隙實質上小于該本征非晶硅層的能隙，該本征非晶硅層的能隙實質上大于該第一型摻雜單晶硅基板的能隙，而該第一型摻雜單晶硅基板的能隙實質上大于該第一型摻雜結晶含鍺層的能隙。

5.根據權利要求4所述的太陽電池，其特征在于，該第二型摻雜非晶硅層的能隙實質上介于1.5eV至2.0eV之間，該本征非晶硅層的能隙實質上介于1.5eV至2.0eV之間，而該第一型摻雜單晶硅基板的能隙實質上介于1.0eV至1.1eV之間，且該第一型摻雜結晶含鍺層的能隙實質上介于0.6eV至1.1eV之間。

6.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜單晶硅基板的厚度實質上介于50微米至500微米之間。

7.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜單晶硅基板的摻雜濃度實質上介于10¹⁵cm^-3至10¹⁷cm^-3之間。

8.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第二型摻雜非晶硅層的厚度實質上介于1奈米至20奈米之間。

9.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第二型摻雜非晶硅層的摻雜濃度實質上介于10¹⁸cm^-3至10²¹cm^-3之間。

10.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜結晶含鍺層為一第一型摻雜結晶硅鍺層或一第一型摻雜結晶鍺錫層。

11.根據權利要求10所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜結晶硅鍺層中的鍺含量實質上高于10％，而該第一型摻雜結晶硅鍺層中的硅含量實質上低于90％。

12.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜結晶含鍺層的厚度實質上介于10奈米至10微米之間。

13.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該第一型摻雜結晶含鍺層的摻雜濃度實質上介于10¹⁵cm^-3至10²¹cm^-3之間。

14.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于，該對電極包括：

一第一電極，配置于該與該第二型摻雜非晶硅層上；以及

一第二電極，配置于該第一型摻雜結晶含鍺層上，其中該第二電極與該第一型摻雜單晶硅基板分別位于該第一型摻雜結晶含鍺層的兩側。

15.根據權利要求14所述的太陽電池，其特征在于，該第一電極為一透明電極，而該第二電極為一反射電極。