[發(fā)明專利]光電晶片結(jié)構(gòu)及光電元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010196899.0 | 申請日: | 2010-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN101964374A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 袁榮亨 | 申請(專利權(quán))人: | 前源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/105 | 分類號: | H01L31/105;H01L31/02;H01L31/0224;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人: | 張衛(wèi)華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 晶片 結(jié)構(gòu) 元件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用以收發(fā)光訊號的光電元件晶片結(jié)構(gòu)及光電元件,屬于光通訊的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
光電元件系由底座與光電晶片組合而成。其中底座可以是金屬盤體(metal?stem)與金屬接腳的組合,例如To-can?Header,或是非金屬盤體與金屬接腳的組合,例如LeadframeHeader。其次底座上可配置一載體(submount)承載光電晶片,且光電晶片的電極透過接腳與電路板上的電路連接。
上述光電晶片的電極可位在相對面,例如其一位在光電晶片上方表面,另一位在光電晶片下方表面;當光電晶片配置在載體(Submount)上,位在下方表面的電極可與載體接觸并形成電性連結(jié);載體更進一步作為打線墊(bounding?pad),使得一導線可連接一接腳(電極)與載體;至于位在光電晶片上方表面的電極也可藉一導線與另一接腳(電極)電性連接。值得注意的是,載體與底座的表面需形成不導電的狀態(tài)。
圖1a與圖1b顯示光電晶片的二個電極位在不同面;以PIN-TIA架構(gòu)的光電元件為例,光電晶片200位在一異質(zhì)基板/載體205上,且其組合配置在一底座201;其中光電晶片200電性連接一轉(zhuǎn)阻放大器(TIA)202,且光電晶片200與底座201形成絕緣且可供操作;然而異質(zhì)基板205的價格較高且體積與面積較大,因此導致光電晶片200的電容提高且降低頻率響應(yīng)。
圖1c與圖1d顯示另一種使光電晶片200能夠絕緣地配置在底座201上且供操作的方式。其主要是在一同質(zhì)的半絕緣基板(semi-insulating?substrate,SI基板)206上磊晶(外延)生成P-I-N結(jié)構(gòu)的晶層,并藉由蝕刻技術(shù)形成二個電極203、204;然而同質(zhì)半絕緣基板206同樣存在成本高的缺失,而且N+晶層的厚度很薄(通常僅約數(shù)個微米,所以須搭配精密的蝕刻制程以預(yù)防N+晶層不慎被蝕穿而造成元件無法運作。
另外美國專利6,586,718揭露一種光電晶片,其揭露在一同質(zhì)的半絕緣基板上磊晶生成P-I-N層;其中N晶層容易因蝕刻過度而被蝕穿。
根據(jù)以上所述,傳統(tǒng)PIN-TIA架構(gòu)的光電元件要使光電晶片與底座間形成絕緣,使用異質(zhì)基板會導致成本高且頻寬降低;而使用同質(zhì)半絕緣基板除了成本高外,還會因為N+晶層薄不易控制蝕刻制程而導致制程參數(shù)須相當精準,提高了制作的困難度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種光電元件,系包含一底座搭配一光電晶片,其中底座的預(yù)定區(qū)域具有一絕緣構(gòu)造用以承載光電晶片,藉此使光電元件具有高頻寬、低成本、易制作及/或高良率的功效。
為滿足上述的功效,本發(fā)明的光電晶片特別設(shè)計成一端具有較大厚度且可導電的同質(zhì)基座(N+基座),且一晶層構(gòu)造位于該基座上;該晶片更具有二個電極且位在同側(cè)及具有相同金屬結(jié)構(gòu);輔以一低介電常數(shù)材料層(Low?K材料層,如BCB或SOG)降低電容的設(shè)計,或在底部鋪上SOG造成與底座絕緣的設(shè)計,可以使光電元件的制作具有高頻寬、低成本、易制作及/或高良率的功效。
底座的絕緣構(gòu)造除了可直接承載上述光電晶片外,其更可搭配一輔助接腳,且以該輔助接腳來承載光電晶片;如此可使光電晶片與底座間不具導電特性,而且藉由調(diào)整輔助接腳的長度,可以達到調(diào)整光電晶片的高度,以及讓輔助接腳成為斷路狀態(tài)或作為電極。
該光電晶片一般為P-I-N的檢光二極體,亦可為雷射二極體或發(fā)光二極體。
其次底座可具有一環(huán)狀的延伸墻部位在底座的盤體周邊,且使延伸墻部與一蓋體結(jié)合形成光電元件,藉此達到組立簡便的功效。
本發(fā)明的光電元件具有高頻寬、低成本、易制作及/或高良率的功效,且組立簡便。
附圖說明
圖1a系習知PIN-TIA結(jié)構(gòu)一的示意圖。
圖1b系習知PIN-TIA結(jié)構(gòu)一的另一示意圖。
圖1c系習知PIN-TIA結(jié)構(gòu)二的示意圖。
圖1d系習知PIN-TIA結(jié)構(gòu)二的另一示意圖。
圖2系本發(fā)明第一實施例的平面示意圖。
圖3系本發(fā)明第一實施例的剖面示意圖。
圖4a系本發(fā)明第一實施例的絕緣構(gòu)造一端凸出且結(jié)合蓋體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4b系本發(fā)明第一實施例的絕緣構(gòu)造一端凹下且結(jié)合蓋體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5系本發(fā)明第二實施例的平面示意圖。
圖6系本發(fā)明第二實施例的剖面示意圖。
圖7a系本發(fā)明第二實施例的絕緣構(gòu)造一端凸出且結(jié)合蓋體的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7b系本發(fā)明第二實施例的絕緣構(gòu)造一端凹下且結(jié)合蓋體的結(jié)構(gòu)示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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