[發(fā)明專利]一種內(nèi)容可尋址存儲器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010196860.9 | 申請日： | 2010-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101859596A | 公開（公告）日： | 2010-10-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 華斯亮;閆浩;楊磊;洪纓;王東輝;侯朝煥 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院聲學研究所 |
| 主分類號： | G11C15/04 | 分類號： | G11C15/04;G11C8/00 |
| 代理公司： | 北京法思騰知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11318 | 代理人： | 楊小蓉;高宇 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 內(nèi)容 尋址 存儲器 | ||
1.一種內(nèi)容可尋址存儲器，該內(nèi)容可尋址存儲器包括若干內(nèi)核單元；所述內(nèi)核單元包括：存儲單元和比較電路單元；所述比較電路單元包括一N型MOS晶體管，該N型MOS晶體管串聯(lián)在輸入匹配線和輸出匹配線之間，其特征在于，
所述比較電路單元還包括一P型MOS晶體管，該P型MOS晶體管的柵極耦合N型MOS晶體管的柵極，該P型MOS晶體管的源極耦合高電平端/該內(nèi)核單元的輸出匹配線，對應(yīng)地，該P型MOS晶體管的漏極耦合該內(nèi)核單元的輸出匹配線/高電平端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)容可尋址存儲器，其特征在于，所述存儲單元為二值內(nèi)核單元的存儲單元，包括：兩個交叉耦合的反相器，節(jié)點D存儲一位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；
所述比較電路單元包括：兩個串聯(lián)在搜索信號線和互補搜索信號線之間的N型MOS晶體管，其中，耦合在搜索信號線上的N型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元的節(jié)點D，耦合在互補搜索信號線上的N型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元的節(jié)點。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)容可尋址存儲器，其特征在于，所述存儲單元為二值內(nèi)核單元的存儲單元，包括：兩個交叉耦合的反相器，節(jié)點D存儲一位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；
所述比較電路單元包括：兩個串聯(lián)在搜索信號線和互補搜索信號線之間的P型MOS晶體管，其中，耦合在搜索信號線上的P型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點耦合在互補搜索信號線上的P型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點D。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)容可尋址存儲器，其特征在于，所述存儲單元為三值內(nèi)核單元的存儲單元，包括：兩組通過一對N型MOS晶體管級聯(lián)的交叉耦合的反相器，第一組交叉耦合的反相器的節(jié)點D1存儲第一位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；第二組交叉耦合的反相器的節(jié)點D2存儲第二位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；
所述比較電路單元包括：兩個串聯(lián)在搜索信號線和互補搜索信號線之間的N型MOS晶體管，其中，耦合在搜索信號線上的N型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點D1，耦合在互補搜索信號線上的N型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)容可尋址存儲器，其特征在于，所述存儲單元為三值內(nèi)核單元的存儲單元，包括：兩組通過一對P型MOS晶體管級聯(lián)的交叉耦合的反相器，第一組交叉耦合的反相器的節(jié)點D1存儲第一位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；第二組交叉耦合的反相器的節(jié)點D2存儲第二位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；
所述比較電路單元中包括：兩個串聯(lián)在搜索信號線和互補搜索信號線之間的P型MOS晶體管，其中，耦合在搜索信號線上的P型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點耦合在互補搜索信號線上的P型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點D2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)容可尋址存儲器，其特征在于，
所述存儲單元為二值內(nèi)核單元的存儲單元，包括：兩個交叉耦合的反相器，節(jié)點D存儲一位數(shù)據(jù)，節(jié)點存儲該位數(shù)據(jù)的互補值；
所述比較電路單元包括：串聯(lián)在搜索信號線和互補搜索信號線之間的兩個串聯(lián)的N型MOS晶體管和兩個串聯(lián)的P型MOS晶體管，
其中，耦合在搜索信號線上的N型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點D，耦合在互補搜索信號線上的N型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點；耦合在搜索信號線上的P型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點，耦合在互補搜索信號線上的P型MOS晶體管的柵極耦合到存儲單元中的節(jié)點D。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)容可尋址存儲器，其特征在于，所述若干內(nèi)核單元之間采用混連的方式；
所述若干內(nèi)核單元構(gòu)成若干組級聯(lián)的內(nèi)核單元組，所述內(nèi)核單元組之間采用并聯(lián)連接方式，所述每一內(nèi)核單元組的最后級聯(lián)的內(nèi)核單元的輸出匹配線輸入到或非邏輯或或邏輯，所述或非邏輯或或邏輯輸出形成內(nèi)容可尋址存儲器的匹配結(jié)果。
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