[發(fā)明專利]半導(dǎo)體光元件和集成型半導(dǎo)體光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010196843.5 | 申請日： | 2010-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN102110953A | 公開（公告）日： | 2011-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 境野剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/227 | 分類號： | H01S5/227 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 閆小龍;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 集成 | ||
1.一種半導(dǎo)體光元件，形成有在p型半導(dǎo)體襯底上從下層起至少依次層疊了p型包覆層、活性層和n型包覆層的臺面條狀的層疊體，在所述層疊體的側(cè)部形成有埋入層，其特征在于，
在所述埋入層中，從下層起依次層疊有第一p型半導(dǎo)體層、第一n型半導(dǎo)體層、Fe摻雜半導(dǎo)體層、第二n型半導(dǎo)體層、低載流子濃度半導(dǎo)體層和第二p型半導(dǎo)體層，
所述Fe摻雜半導(dǎo)體層不在由所述第一p型半導(dǎo)體層和所述第一n型半導(dǎo)體層構(gòu)成的結(jié)晶面的(111)B面上生長，
所述第二n型半導(dǎo)體層不在由所述第一p型半導(dǎo)體層、所述第一n型半導(dǎo)體層和所述Fe摻雜半導(dǎo)體層構(gòu)成的結(jié)晶面的(111)B面上生長。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光元件，其特征在于，將所述第二n型半導(dǎo)體層置換為所述低載流子濃度半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光元件，其特征在于，將所述低載流子濃度半導(dǎo)體層，或所述低載流子濃度半導(dǎo)體層和所述第二p型半導(dǎo)體層這兩層，或所述第二n型半導(dǎo)體層和所述低載流子濃度半導(dǎo)體層這兩層，或所述第二n型半導(dǎo)體層、所述低載流子濃度半導(dǎo)體層和所述第二p型半導(dǎo)體層這三層的任一個，置換為Ru摻雜半導(dǎo)體層。
4.一種半導(dǎo)體光元件，形成有在p型半導(dǎo)體襯底上從下層起至少依次層疊了p型包覆層、活性層和n型包覆層的臺面條狀的層疊體，在所述層疊體的側(cè)部形成有埋入層，其特征在于，
在所述埋入層中，從下層起依次層疊有第一p型半導(dǎo)體層、第一n型半導(dǎo)體層、低載流子濃度半導(dǎo)體層和第二p型半導(dǎo)體層，
所述低載流子濃度半導(dǎo)體層不在由所述第一p型半導(dǎo)體層和所述第一n型半導(dǎo)體層構(gòu)成的結(jié)晶面的(111)B面上生長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4的任一項所述的半導(dǎo)體光元件，其特征在于，將所述第一p型半導(dǎo)體層的整體或一部分置換為p型AlInAs層或p型AlGaInAs層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4的任一項所述的半導(dǎo)體光元件，其特征在于，將所述第二p型半導(dǎo)體層的整體或一部分置換為p型AlInAs層或p型AlGaInAs層。
7.一種半導(dǎo)體光元件，其特征在于，將權(quán)利要求1至權(quán)利要求4的任一項所述的半導(dǎo)體元件的極性反轉(zhuǎn)。
8.一種集成型半導(dǎo)體光元件，集成有：在p型半導(dǎo)體襯底上從下層起至少依次層疊p型包覆層、活性層和n型包覆層而形成臺面條狀的層疊體的半導(dǎo)體光元件；和通過選擇生長形成的、與所述半導(dǎo)體光元件的端面連接的再生長半導(dǎo)體層，其特征在于，
作為所述再生長半導(dǎo)體層的最下層，層疊有p型或低載流子濃度的AlInAs層或AlGaInAs層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成型半導(dǎo)體光元件，其特征在于，所述再生長半導(dǎo)體層具有埋入層，將權(quán)利要求1至權(quán)利要求6的任一項所述的半導(dǎo)體光元件的埋入層的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于所述再生長半導(dǎo)體層的埋入層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成型半導(dǎo)體光元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體光元件在所述層疊體的側(cè)部具有埋入層，將權(quán)利要求1至權(quán)利要求6的任一項所述的半導(dǎo)體光元件的埋入層的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于所述層疊體的側(cè)部的埋入層。
11.一種集成型半導(dǎo)體光元件，其特征在于，將權(quán)利要求8至權(quán)利要求10的任一項所述的集成型半導(dǎo)體元件的極性反轉(zhuǎn)。
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