[發明專利]斑點吳風草的植株培養方法有效
| 申請號: | 201010196783.7 | 申請日: | 2010-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN102273404A | 公開(公告)日: | 2011-12-14 |
| 發明(設計)人: | 陳建華;黃建榮;沈勤 | 申請(專利權)人: | 上海上房園藝有限公司 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
| 地址: | 201114*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 斑點 吳風草 植株 培養 方法 | ||
1.斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,該組織培養方法包括無菌處理、分化增殖、壯苗培養、生根培養及煉苗移栽五個步驟,具體步驟如下所示:
(1)無菌處理:將斑點吳風草小芽用自來水沖洗2h后于超凈工作臺上,依次采用濃度為75%的乙醇浸泡20-30s、1‰的升汞浸泡10-15min、無菌水沖洗5-6次并用無菌濾紙吸干表面水分,將小芽基部切成1cm長度后接種于芽誘導培養基上,控制培養溫度為24-26℃,光照為70-90μmol/ms,進行芽誘導培養;
(2)分化增殖:小芽接種于芽誘導培養基上3周后開始膨大并出現黃綠色突起,再培養2周后小芽長勢明顯,繼續培養1個月,切下帶芽愈傷組織接種于增殖培養基中,控制培養溫度為24-26℃,光照為70-90μmol/ms,進行增殖培養;
(3)壯苗培養:在增殖培養基中誘導出叢生芽,每叢有2-3株可以伸長,將其分成小叢或單芽后,放入壯苗培養基中,控制培養溫度為24-26℃,光照為70-90μmol/ms,進行壯苗培養,20天后可以長到2-3cm;
(4)生根培養:將壯苗培養基中的植株轉接入生根培養基中控制培養溫度為24-26℃,光照為70-90μmol/ms,進行生根培養,10天后幼苗基部分化出許多白色的根原基20天后出現眾多須根;
(5)煉苗移栽:生根培養25-30天,根系長至1-2cm,選擇根系發達生長健壯的無菌苗在室內開瓶煉苗3天,取出后洗凈根部瓊脂并在溫室中繼續馴化40-50天,將其可移栽室外即可。
2.根據權利要求1所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述步驟(1)中芽誘導培養基的營養成分為MS+6-BA1.0~5.0mg/L+NAA0.1~0.5mg/L。
3.根據權利要求2所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述芽誘導培養基的營養成分優選MS+6-BA3.0mg/L+NAA0.3mg/L。
4.根據權利要求1所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述步驟(2)中增殖培養基的營養成分為MS+6-BA1.0~3.0mg/L+NAA0.1~0.3mg/L。
5.根據權利要求4所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述增殖培養基的營養成分優選MS+6-BA2.0mg/L+NAA0.2mg/L。
6.根據權利要求1所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述步驟(3)中壯苗培養基的營養成分為MS+6-BA0.5~2.0mg/L+NAA0.1~0.2mg/L。
7.根據權利要求6所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述壯苗培養基的營養成分優選MS+6-BA0.5mg/L+NAA0.1mg/L。
8.根據權利要求1所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述步驟(4)中生根培養基的營養成分為MS+NAA0.05~0.2mg/L。
9.根據權利要求8所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述生根培養基的營養成分優選MS+NAA0.1mg/L。
10.根據權利要求1所述的斑點吳風草的植株培養方法,其特征在于,所述的培養基的基準成分包括蔗糖30g/L及瓊脂6g/L。
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