[發(fā)明專利]包括阱區(qū)的電子器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010196580.8
• 申請(qǐng)日: 2010-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN101937913A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·H·羅切爾特;G·M·格里瓦納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L23/52;H01L29/06;H01L21/77;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 金曉

1.一種包括集成電路的電子器件，包括：

隱埋傳導(dǎo)區(qū)；

半導(dǎo)體層，其覆蓋在所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)上，其中所述半導(dǎo)體層具有主表面和相對(duì)的表面，且所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)與到所述主表面相比更接近于所述相對(duì)的表面；

第一垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其延伸通過所述半導(dǎo)體層并電連接到所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)；

第一摻雜結(jié)構(gòu)，其具有與所述隱埋傳導(dǎo)層比較相反的傳導(dǎo)類型，與到所述主表面相比更接近于所述相對(duì)的表面，并電連接到所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)；以及

第一阱區(qū)，其包括所述半導(dǎo)體層的第一部分，其中：

所述第一部分覆蓋在所述第一摻雜結(jié)構(gòu)上；以及

所述第一部分具有與所述第一摻雜結(jié)構(gòu)比較更低的摻雜濃度。

2.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述第一摻雜結(jié)構(gòu)：

包括相鄰于所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)放置的水平部分；

包括相鄰于所述第一垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)放置的垂直部分；以及

電連接到所述第一垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)。

3.一種形成包括集成電路的電子器件的工藝，包括：

設(shè)置包括覆蓋在隱埋傳導(dǎo)區(qū)上的半導(dǎo)體層的基底，其中所述半導(dǎo)體層具有主表面和相對(duì)的表面，且所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)放置成與到所述主表面相比更接近于所述相對(duì)的表面；

在所述半導(dǎo)體層內(nèi)形成第一摻雜結(jié)構(gòu)，其中所述第一摻雜結(jié)構(gòu)放置成與到所述主表面相比更接近于所述相對(duì)的表面，并具有與所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)比較相反的傳導(dǎo)類型；以及

形成延伸通過所述半導(dǎo)體層的第一垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，其中，在完成的器件中：

第一阱區(qū)包括覆蓋在所述第一摻雜結(jié)構(gòu)上的所述半導(dǎo)體層的第一部分；以及

所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)、所述第一摻雜結(jié)構(gòu)和所述第一垂直傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)彼此電連接。

4.如權(quán)利要求3所述的工藝，其中設(shè)置所述基底并形成所述第一摻雜結(jié)構(gòu)的步驟包括：

設(shè)置包括所述隱埋傳導(dǎo)區(qū)上的、所述半導(dǎo)體層的第一部分的基底；

選擇性地?fù)诫s所述半導(dǎo)體層的所述第一部分以形成所述第一摻雜結(jié)構(gòu)的水平部分；

使所述半導(dǎo)體層的第二部分外延地生長(zhǎng)；以及

選擇性地?fù)诫s所述半導(dǎo)體層的所述第二部分以形成所述第一摻雜結(jié)構(gòu)的垂直部分。

5.如權(quán)利要求1或2所述的電子器件或如權(quán)利要求3或4所述的工藝，其中所述第一阱區(qū)還包括第二摻雜結(jié)構(gòu)，其中：

所述第二摻雜結(jié)構(gòu)與所述第一摻雜結(jié)構(gòu)間隔開；

所述第一摻雜結(jié)構(gòu)包圍所述第二摻雜結(jié)構(gòu)；以及

與所述第一阱區(qū)的所述第一部分相比，所述第二摻雜結(jié)構(gòu)具有更高的摻雜濃度。

6.如權(quán)利要求1或2所述的電子器件或如權(quán)利要求3或4所述的工藝，其中所述電子器件還包括第二阱區(qū)，所述第二阱區(qū)包括所述半導(dǎo)體層的第二部分，其中所述第二阱區(qū)與所述第一阱區(qū)和所述第一摻雜結(jié)構(gòu)間隔開。

7.如權(quán)利要求6所述的電子器件或工藝，其中所述電子器件還包括：

第三阱區(qū)，其包括所述半導(dǎo)體層的第三部分，其中所述第三阱區(qū)與所述第一阱區(qū)和第二阱區(qū)間隔開；以及

第四阱區(qū)，其包括所述半導(dǎo)體層的第四部分，其中所述第四阱區(qū)與所述第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū)間隔開。

8.如權(quán)利要求7所述的電子器件或工藝，其中：

所述第一阱區(qū)是p阱區(qū)；

所述第二阱區(qū)是n阱區(qū)；

所述第三阱區(qū)是另一p阱區(qū)；以及

所述第四阱區(qū)是另一n阱區(qū)。