[發(fā)明專利]一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010196480.5 | 申請日： | 2010-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN101863452A | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭新和;唐龍娟;楊輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;H01L31/18;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人： | 陳忠輝 |
| 地址： | 215125 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 改善 絕緣 襯底 納米 陣列 結(jié)構(gòu) 器件 制作 方法 | ||
1.一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法，其特征在于包括步驟：
(1)、對絕緣襯底上的半導(dǎo)體器件光刻并進行第一次臺面刻蝕，形成一階梯狀的樣品結(jié)構(gòu)；
(2)、在階梯上方的臺面制作微結(jié)構(gòu)掩模層；
(3)、進行第二次臺面刻蝕，同時刻蝕形成納米陣列結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法，其特征在于：所述微結(jié)構(gòu)掩模層僅制于上臺面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法，其特征在于：所述微結(jié)構(gòu)掩模層形式至少包括納米球、納米柱或納米孔陣列之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法，其特征在于：所述第二次臺面刻蝕的深度與納米陣列結(jié)構(gòu)的深度相一致，而兩次臺面刻蝕深度之和大于半導(dǎo)體器件表面p型層或n型層和有源層的厚度之和，以使半導(dǎo)體器件露出n型層或p型層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法，其特征在于：所述絕緣襯底至少包括：玻璃、藍寶石和SOI硅片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善絕緣襯底上納米陣列結(jié)構(gòu)器件制作的方法，其特征在于：所述絕緣襯底上的半導(dǎo)體器件至少包括：太陽能電池、發(fā)光二極管、光電探測器和激光器。
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